[发明专利]一种紫外LED及其制作方法有效
| 申请号： | 202110360473.2 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097353B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 卓祥景;万志;程伟;尧刚;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 尹秀 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 及其 制作方法 | ||
1.一种紫外LED，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底上的发光层，所述发光层包括至少一个层叠单元，所述层叠单元包括层叠的量子垒单元和量子阱单元，所述量子垒单元包括层叠的第一量子垒层、第一应力平衡层、第二量子垒层，所述量子阱单元包括层叠的第一量子阱层、第二应力平衡层、第二量子阱层；
其中，所述第一应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子垒层的晶格常数和所述第二量子垒层的晶格常数，所述第二应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子阱层的晶格常数和所述第二量子阱层的晶格常数，以使得位于第一量子阱层下方的所述第二量子垒层对所述第一量子阱层的压应力能够与位于第一量子阱层上方的所述第二应力平衡层对所述第一量子阱层的拉应力相平衡；
所述第一应力平衡层为InxGa1-xN层，所述第二应力平衡层为InxGa1-xN层，其中，0x1；或，所述第一应力平衡层为GaN层，所述第二应力平衡层为GaN层。
2.根据权利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述第一应力平衡层的禁带宽度小于所述第一量子垒层的禁带宽度和所述第二量子垒层的禁带宽度，所述第二应力平衡层的禁带宽度小于所述第一量子阱层的禁带宽度和所述第二量子阱层的禁带宽度。
3.根据权利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述发光层包括2～12个所述层叠单元。
4.根据权利要求1所述的紫外LED，其特征在于，所述第一应力平衡层为空穴掺杂层。
5.根据权利要求4所述的紫外LED，其特征在于，所述第一应力平衡层为Mg掺杂层。
6.根据权利要求5所述的紫外LED，其特征在于，所述第一应力平衡层中的掺杂浓度的取值范围为5E17/cm3～5E19/cm3。
7.一种紫外LED的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成发光层，所述发光层包括至少一个层叠单元，所述层叠单元包括层叠的量子垒单元和量子阱单元，所述量子垒单元包括层叠的第一量子垒层、第一应力平衡层、第二量子垒层，所述量子阱单元包括层叠的第一量子阱层、第二应力平衡层、第二量子阱层；
其中，所述第一应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子垒层的晶格常数和所述第二量子垒层的晶格常数，所述第二应力平衡层的晶格常数大于所述第一量子阱层的晶格常数和所述第二量子阱层的晶格常数，以使得位于第一量子阱层下方的所述第二量子垒层对所述第一量子阱层的压应力能够与位于第一量子阱层上方的所述第二应力平衡层对所述第一量子阱层的拉应力相平衡；
所述第一应力平衡层为InxGa1-xN层，所述第二应力平衡层为InxGa1-xN层，其中，0x1；或，所述第一应力平衡层为GaN层，所述第二应力平衡层为GaN层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第一应力平衡层的禁带宽度大于所述第一量子垒层的禁带宽度和所述第二量子垒层的禁带宽度，所述第二应力平衡层的禁带宽度大于所述第一量子阱层的禁带宽度和所述第二量子阱层的禁带宽度。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述发光层包括2～12个所述层叠单元。
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