[发明专利]一种IBIS模型中I/V曲线的测量方法

权利要求书

1.一种IBIS模型中I/V曲线的测量方法，其特征在于：针对不同的曲线类型设置不同的扫描电压，利用数字源表和可调电压源来测量被测芯片的IBIS模型，测量得到被测芯片在IBIS模型中的电源钳位、地钳位、上拉和下拉原始I/V曲线数据；对电源钳位和上拉曲线数据分别进行位置变换和最小二乘拟合，对地钳位和下拉曲线数据分别进行最小二乘拟合，对应得到符合IBIS规范的电源钳位、地钳位、上拉和下拉I/V曲线数据。

2.根据权利要求1所述的一种IBIS模型中I/V曲线的测量方法，其特征在于，分别得到符合IBIS规范的电源钳位、地钳位、上拉和下拉I/V曲线数据，包括有如下步骤：

步骤1，获得电源钳位I/V曲线数据：使被测芯片输出引脚状态为高阻态，设置数字源表扫描电压，将数字源表与被测芯片输出引脚连接，测量得到原始电源钳位曲线数据，用公式V_table＝Vcc-Vout对原始电源钳位曲线数据进行位置变换，然后对变换后的电源钳位曲线数据进行最小二乘拟合，得到符合IBIS规范的被测芯片的电源钳位曲线数据；

步骤2，获得地钳位I/V曲线数据：使被测芯片输出引脚状态为高阻态，设置数字源表扫描电压，测量被测芯片输出引脚获得原始地钳位曲线数据，对原始地钳位曲线数据进行最小二乘拟合得到符合IBIS规范的被测芯片的地钳位曲线数据；

步骤3，获得上拉I/V曲线数据：对被测芯片添加激励使芯片输出引脚输出高电平，设置数字源表扫描电压，测量被测芯片输出引脚得到原始上拉I/V曲线数据，将原始上拉I/V曲线数据减去电源钳位曲线数据，对结果曲线数据进行位置变换，并对变换后的上拉曲线数据进行最小二乘法拟合，得到符合IBIS规范的被测芯片的上拉I/V曲线数据；

步骤4，获得下拉I/V曲线数据：对被测芯片添加激励使芯片输出引脚输出低电平，设置数字源表扫描电压，测量被测芯片输出引脚得到原始下拉I/V曲线数据，将原始下拉I/V曲线数据减去地钳位曲线数据并对结果曲线数据进行最小二乘法拟合，得到符合IBIS规范的被测芯片的下拉I/V曲线数据。

3.根据权利要求2所述基于一种IBIS模型中I/V曲线的测量方法，其特征在于：步骤3中所述的获得上拉I/V曲线数据，具体是：

3.1在芯片有使能端的前提下，为芯片提供工作电压，使能使能端，根据芯片引脚关系，为芯片添加激励源使得输出引脚为高电平；当芯片没有使能端时，为芯片提供工作电压，根据芯片引脚关系，加激励使得输出引脚为高电平；

3.2设置源表扫描电压为-VCC～2VCC，为了在测量时不损坏芯片以及使得曲线趋势明显，扫描电压范围可以适当的缩小，使用源表连接芯片的输出引脚，测量得到原始上拉曲线数据；

3.3对原始上拉曲线数据用公式V_table＝Vcc-Vout进行位置变换，得到以VCC为参考电压的上拉曲线数据，将以VCC为参考电压的上拉曲线数据减去电源钳位曲线数据，当第二步的扫描电压范围缩小时，对结果曲线数据进行最小二乘拟合，得到符合规范的上拉曲线数据。

4.根据权利要求2所述基于一种IBIS模型中I/V曲线的测量方法，其特征在于：步骤4中所述的获得下拉I/V曲线数据，具体是：

4.1在芯片有使能端的前提下，为芯片提供工作电压，使能使能端，根据芯片引脚关系，为芯片添加激励源使得输出引脚为低电平；当芯片没有使能端时，为芯片提供工作电压，根据芯片引脚关系，加激励使得输出引脚为低电平；

4.2设置源表扫描电压为-VCC～2VCC，为了在测量时不损坏芯片以及使得曲线趋势明显，扫描电压范围可以适当的缩小，使用源表连接芯片的输出引脚，测量得到原始下拉曲线数据；

4.3将原始下拉曲线数据减去地钳位曲线数据，当第二步的扫描电压范围缩小时，对结果曲线数据进行最小二乘拟合，得到符合规范的下拉曲线数据。