[发明专利]对准量测标记结构及对准量测方法

权利要求书

1.一种对准量测标记结构，其特征在于，包括：

第一套刻标记；

第二套刻标记，所述第二套刻标记包括需要量测关键尺寸的待量测图形结构；所述第二套刻标记包括硅通孔图形；其中，

所述第一套刻标记与所述第二套刻标记位于相邻层，且所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记内侧，或所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记的外围。

2.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第二套刻标记的形状包括圆形、十字形或正多边形。

3.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记外围时，所述第一套刻标记包括：

第一对准图形，所述第一对准图形在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记相对的两侧，所述第一对准图形沿第一方向延伸；

第二对准图形，所述第二对准图形在所述第二套刻标记所在层的正投影位于所述第二套刻标记相对的两侧，且位于所述第一对准图形的外侧，与所述第一对准图形具有间距，所述第二对准图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向正交。

4.根据权利要求3所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准图形包括单个第一对准结构，所述第二对准图形包括单个第二对准结构。

5.根据权利要求3所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准图形包括多个平行间隔排布的第一对准结构，所述第二对准图形包括多个平行间隔排布的第二对准结构。

6.根据权利要求4或5所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准结构及所述第二对准结构均为条状结构。

7.根据权利要求4或5所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一对准结构长度大于所述第二套刻标记沿所述第一方向的尺寸，所述第一对准结构长度大于所述第二套刻标记沿所述第二方向的尺寸。

8.根据权利要求3所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第二套刻标记在所述第一方向或所述第二方向的尺寸不小于3μm，所述第一套刻标记在所述第一方向或所述第二方向的尺寸为30μm～80μm，所述第一套刻标记在所述第二套刻标记所在层的正投影的边缘与所述第二套刻标记的间距不小于2μm。

9.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记包括环形套刻标记。

10.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记的中心与所述第二套刻标记的中心相重合。

11.根据权利要求1所述的对准量测标记结构，其特征在于，所述第一套刻标记及/或所述第二套刻标记位于光刻胶层的表面。

12.一种对准量测方法，其特征在于，基于如权利要求1至11中任一项所述的对准量测标记结构进行对准量测，包括：

沿第一方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；

沿第二方向自所述对准量测标记结构的一侧连续采集信号至相对的另一侧；

根据量测结构判定所述第一套刻标记与所述第二套刻标记是否对准，并根据量测结果得到所述第二套刻标记的关键尺寸。

13.根据权利要求12所述的对准量测方法，其特征在于，使用光学量测工具基于量测光路对所述对准量测标记结构进行量测。