[发明专利]一种噪声滤波电路及低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种噪声滤波电路，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一电容和第二电容；

所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源端及体端均与电源连接；

所述第一PMOS管的栅端和漏端短接，且所述第一PMOS管的栅端和漏端短接节点与所述第二NMOS管的漏端连接；

所述第一PMOS管的栅端与所述第二PMOS管的栅端连接；

所述第三PMOS管、所述第四PMOS管和所述第六PMOS管的源端及体端均与基准电压源的输出端连接；

所述第五PMOS管的源端与第四PMOS管的栅端与漏端的短接节点连接，所述第五PMOS管的体端与基准电压源的输出端连接；

所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的源端及体端均与地或低电压端连接；

所述第一NMOS管的栅端和漏端短接，且所述第一NMOS管的栅端和漏端短接节点与所述第二NMOS管的栅端及所述第四NMOS管的栅端连接；

所述第三PMOS管的漏端、所述第三NMOS管的漏端、所述第五NMOS管的栅端与第五PMOS管的栅端短接；

所述第四PMOS管的栅端和漏端短接，且所述第四PMOS管的栅端和漏端短接节点与所述第四NMOS管的漏端连接；

所述第四NMOS管的漏端与所述第五PMOS管的源端短接；

所述第五PMOS管的漏端、所述第六PMOS管的栅端与所述第五NMOS管的漏端短接；

所述第一电容的一端与所述第二PMOS管的漏端、所述第三PMOS管的栅端以及所述第三NMOS管的栅端相连接，所述第一电容的另一端与地或低电压端连接；

所述第二电容的一端与第六PMOS管的漏端短接，所述第二电容的另一端与地或低电压端连接；

所述第一电容的容量远小于所述第二电容的容量；

所述第四PMOS管的宽长比远大于所述第六PMOS管的宽长比。

2.根据权利要求1所述的噪声滤波电路，其特征在于，初始时所述第一电容和所述第二电容上下极板的电压差均为0V。

3.一种低压差线性稳压器，其特征在于，包括基准电压源以及如权利要求1至2中任一项所述的噪声滤波电路；

所述基准电压源与所述噪声滤波电路之间还包括电压放大器；

所述电压放大器的同相输入端与所述基准电压源连接，并将所述电压放大器的输出端作为所述基准电压源的输出端；

所述电压放大器的反向输入端分别通过第一电阻与所述电压放大器的输出端连接，通过第二电阻与地或低电压端连接。