[发明专利]发光器件、发光装置、电子设备及照明装置有效
申请号: | 202110361826.0 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN113299841B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 濑尾哲史;铃木恒德;奥山拓梦;泷田悠介;桥本直明;濑尾广美 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张桂霞;初明明 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 装置 电子设备 照明 | ||
1.一种发光器件,包括:
阳极;
阴极;以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层,
其中,所述EL层从阳极一侧依次包括第一层、第二层、第三层、发光层和第四层,
所述第一层与所述阳极接触,
所述第一层包含第一有机化合物及第二有机化合物,
所述第二层包含第三有机化合物,
所述第三层包含第四有机化合物,
所述发光层包含第五有机化合物和第六有机化合物,
所述第四层包含第七有机化合物,
所述第一有机化合物对所述第二有机化合物呈现电子接收性,
所述第五有机化合物为发光中心物质,
所述第二有机化合物的HOMO能级为-5.7eV以上且-5.2eV以下,
所述第三有机化合物与所述第二有机化合物的HOMO能级之差为0.2eV以下,
所述第三有机化合物的HOMO能级等于或深于所述第二有机化合物的HOMO能级,
并且,所述第七有机化合物在电场强度[V/cm]的平方根为600时的电子迁移率为1×10-7cm2/Vs以上且5×10-5cm2/Vs以下。
2.一种发光器件,包括:
阳极;
阴极;以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层,
其中,所述EL层从阳极一侧依次包括第一层、第二层、第三层、发光层和第四层,
所述第一层与所述阳极接触,
所述第一层包含第一有机化合物和第二有机化合物,
所述第二层包含第三有机化合物,
所述第三层包含第四有机化合物,
所述发光层包含第五有机化合物和第六有机化合物,
所述第四层包含第七有机化合物,
所述第一有机化合物对所述第二有机化合物呈现电子接收性,
所述第五有机化合物为发光中心物质,
所述第二有机化合物的HOMO能级为-5.7eV以上且-5.2eV以下,
所述第三有机化合物的HOMO能级等于或深于所述第二有机化合物的HOMO能级,
所述第三有机化合物与所述第二有机化合物的HOMO能级之差为0.2eV以下,
所述第六有机化合物的LUMO能级浅于所述第七有机化合物的LUMO能级,
并且,所述第六有机化合物与所述第七有机化合物的LUMO能级之差为0.1eV以上且0.3eV以下。
3.一种发光器件,包括:
阳极;
阴极;以及
位于所述阳极与所述阴极之间的EL层,
其中,所述EL层从阳极一侧依次包括第一层、第二层、第三层、发光层和第四层,
所述第一层与所述阳极接触,
所述第一层包含第一有机化合物及第二有机化合物,
所述第二层包含第三有机化合物,
所述第三层包含第四有机化合物,
所述发光层包含第五有机化合物及第六有机化合物,
所述第四层包含第七有机化合物,
所述第一有机化合物对所述第二有机化合物呈现电子接收性,
所述第五有机化合物为发光中心物质,
所述第二有机化合物的HOMO能级为-5.7eV以上且-5.2eV以下,
所述第三有机化合物的HOMO能级等于或深于所述第二有机化合物的HOMO能级,
所述第三有机化合物与所述第二有机化合物的HOMO能级之差为0.2eV以下,
并且,所述第七有机化合物为缺π电子型杂芳族化合物。
4.根据权利要求3所述的发光器件,
其中,所述缺π电子型杂芳族化合物具有喹喔啉骨架、苯并咪唑骨架和三嗪骨架中的任意个。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110361826.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于国产化服务器的网盘部署方法及存储介质
- 下一篇:糖蛋白N-糖链分析方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择