[发明专利]改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110361869.9 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113140446A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张聪;张森阳;安人龙;戚定定 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 lto 硅片 缺陷 方法 | ||
1.一种改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于包括如下操作步骤：
步骤一：LTO背封层成膜后通过目检筛选出膜面上有缺陷的不良片，包括颗粒造成的成膜不良；筛选出LTO层内或者嵌入LTO层的颗粒造成的成膜不良片；
步骤二：通过刷片清洗机的PVA刷进行刷硅片的清洗；
步骤三：抛光前进行清洗，第一步采用去离子水进行清洗，第二步采用SC1对LTO背封硅片进行两次清洗，第三步再次采用去离子水进行清洗；
步骤四：完成清洗后的LTO背封硅片进行抛光处理。
2.根据权利要求1所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：目检采用荧光灯和聚光灯两种方式观察。
3.根据权利要求1所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：每个药液清洗时间为250秒～350秒，同时每次清洗过程中增加超声清洗过程，提高去除颗粒的效果。
4.根据权利要求3所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：超声清洗的声波频率在20kHz到40kHz之间。
5.根据权利要求1所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：SC1配比为：NH4OH:H2O2:H2O=1:2:（5-20），SC1药液使用周期为2小时，温度65℃。
6.根据权利要求1所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：用有蜡贴片的方式对背封硅片做粗、中、精抛光。
7.根据权利要求6所述的改善LTO背封硅片凹坑缺陷的方法，其特征在于：有蜡贴片所用为液体蜡，液体蜡中的蜡含量在28％～38%，溶剂为异丙醇。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，未经杭州中欣晶圆半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110361869.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
