[发明专利]一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法

权利要求书

1.一种用于制备晶圆的保护环，其特征在于，所述保护环的外周面和一侧圆环面为图案铣削区，所述图案铣削区内遍布吸附槽，相邻所述吸附槽之间的距离为0.8～1.2mm，所述图案铣削区的粗糙度大于图案铣削区以外的粗糙度，位于所述图案铣削区，所述保护环表面的Ra为3～5μm。

2.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述吸附槽的截面呈正六边形。

3.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述吸附槽的深度为0.1～0.3mm。

4.根据权利要求2所述的保护环，其特征在于，所述吸附槽的截面边长为0.5～2mm。

5.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，以所述保护环的圆心为中心，所述吸附槽在图案铣削区呈同心圆排布。

6.根据权利要求5所述的保护环，其特征在于，相邻所述同心圆排布的吸附槽交错设置。

7.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，位于所述图案铣削区，所述保护环表面进行喷砂处理。

8.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述图案铣削区以外，所述保护环表面进行抛光处理。

9.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述图案铣削区以外，所述保护环表面的Ra≤1.6μm。

10.根据权利要求1所述的保护环，其特征在于，所述保护环的内周面呈装配结构，所述装配结构用于将所述的保护环与设备装配连接。

11.一种权利要求1-10任一项所述的用于制备晶圆的保护环的加工方法，其特征在于，所述的加工方法包括以下步骤：

对保护环的图案铣削区铣削吸附槽后，对图案铣削区外的表面进行抛光，并对图案铣削区进行喷砂处理，加工得到所述用于制备晶圆的保护环。

12.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述保护环在铣削吸附槽前进行粗车和精车外形。

13.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述铣削吸附槽的工艺为滚花加工。

14.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述铣削吸附槽后对图案铣削区进行去毛刺并清洗。

15.根据权利要求13所述的加工方法，其特征在于，所述滚花加工的TPI为22～31。

16.根据权利要求13所述的加工方法，其特征在于，所述滚花加工的深度为0.1～0.3mm。

17.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述抛光的Ra≤1.6μm。

18.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述喷砂的Ra为3～5μm。

19.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述喷砂处理后对保护环进行清洗、干燥和包装。

20.根据权利要求19所述的加工方法，其特征在于，所述清洗的步骤包括：用清洁剂和水清洗后，再用水进行冲洗。

21.根据权利要求11所述的加工方法，其特征在于，所述的加工方法具体包括以下步骤：

对保护环进行粗车和精车，铣削外形和装配结构；再对图案铣削区进行滚花加工出吸附槽，滚花加工的TPI为22～31，深度为0.1～0.3mm，滚花加工去除毛刺并清洗表面，清洗后对图案铣削区以外的表面进行抛光处理，图案铣削区以外表面的Ra≤1.6μm，图案铣削区进行喷砂处理，图案铣削区的Ra为3～5μm，喷砂后用清洁剂和水清洗，再用水进行冲洗，清洗完成后进行干燥和包装，加工得到所述用于制备晶圆的保护环。