[发明专利]一种单晶锰酸锂材料的制备方法有效
申请号: | 202110362475.5 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN112993241B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 彭忠东;舒钰铭;胡国荣;杜柯;曹雁冰 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01M4/505 | 分类号: | H01M4/505;H01M10/0525;C01B35/12;C01G45/02;C01G51/00;C01G45/12;C30B1/10;C30B29/22 |
代理公司: | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人: | 周咏;林毓俊 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单晶锰酸锂 材料 制备 方法 | ||
1.一种单晶掺杂锰酸锂材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A)将铵盐与可溶性含掺杂元素的化合物M加入到去离子水中,设定温度下,持续搅拌并通入氧化性气体,在保持通入气体的条件,加入锰粉,锰粉的加入需要保持持续缓慢的加入,加料结束后,继续进行反应,反应结束后,停止气体的通入,接着降温至室温,然后加入沉淀剂,进行搅拌沉淀反应,反应结束后,固液分离,固体进行洗涤、干燥后,得到掺杂均匀的四氧化三锰粉末,该掺杂均匀的四氧化三锰具有八面体一次颗粒团聚而成的二次颗粒;
B)将步骤A)掺杂均匀的四氧化三锰粉末、锂源,混合均匀,得到混合粉料;
C)将步骤B)中的混合粉料先在400~550 ℃进行一段焙烧,再在600~680 ℃进行二段焙烧,最后在800~950℃进行三段焙烧,冷却、破碎后得到缺陷型单晶掺杂锰酸锂粉末材料;
D)将步骤C)中的缺陷型单晶掺杂锰酸锂粉末材料继续在350~520 ℃进行一段焙烧,再在580~650 ℃进行二段焙烧,最后在700~850℃进行三段焙烧,冷却、破碎后得到晶体结构完整的单晶掺杂锰酸锂粉末材料;
所述步骤A)中,氧化性气体为氧气或者空气;锰粉与铵盐的质量比为(3~20):1,锰粉的加入速度为20~30g/h,继续反应时间为5~12h;沉淀剂为碳酸铵、碳酸氢铵、氨水、碳酸钠、氢氧化钠中的一种或多种,沉淀反应时间为1~12h;反应过程中,搅拌速度为300~1000 r/min;
所述步骤A)中,铵盐为硝酸铵、氯化铵、硫酸铵中的一种或多种;可溶性含掺杂元素的化合物M为钴、镍、钙、锡、锆、铬、钡、铝、镁、锶的硝酸盐,钴、钙、锡、锆、铬、镧、钡、铝、镁、锶的氯化物和镍、钙、镧、钡、镁、锶的醋酸盐以及钴、镍、锡、锆、铬、铝、镁、铈的硫酸盐中至少一种;铵盐在去离子水中的浓度为5~100 g/L,含掺杂元素的化合物M在去离子水中的浓度为5~30 g/L;设定温度为50~90℃。
2.根据权利要求1所述的单晶掺杂锰酸锂材料的制备方法,其特征在于,所述步骤B)中,锂源包括碳酸锂、氢氧化锂、醋酸锂、硝酸锂中的一种或多种,根据掺杂锰酸锂的结构式,配比掺杂均匀的四氧化三锰粉末和锂源。
3.根据权利要求1所述的单晶掺杂锰酸锂材料的制备方法,其特征在于,所述步骤C)中,所有的升温速率均为1~8 ℃/min,一段焙烧的时间为 2~6 h,二段焙烧的时间为4~9 h,三段焙烧的时间为8~16 h;破碎采用辊式破碎或球磨破碎进行,破碎时间为10~60 min,过100~300目筛。
4.根据权利要求1所述的单晶掺杂锰酸锂材料的制备方法,其特征在于,所述步骤D)中,所有的升温速率均为1~6 ℃/min,一段焙烧的时间为 2~5 h,二段焙烧的时间为4~8 h,三段焙烧的时间为8~14 h;破碎采用辊式破碎或球磨破碎进行,破碎时间为10~60 min,过100~300目筛。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的制备方法制备得到单晶掺杂锰酸锂材料。
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