[发明专利]一种高增益超宽带低噪声放大器

权利要求书

1.一种高增益超宽带低噪声放大器，其特征在于：所述高增益超宽带低噪声放大器采用三级放大结构，包括第一级共源放大电路、第二级共源放大电路和第三级共源共栅放大电路，其中第一级共源放大电路设有输入匹配电路，第一级共源放大电路和第二级共源放大电路之间设有第一级间匹配电路，第二级共源放大电路与第三级共源共栅放大电路之间设有第二级间匹配电路，第三级共源共栅放大电路设有输出匹配电路；

其中，所述输入匹配电路包括电感Ld1、电感Ls1和电阻Rf；所述第一级间匹配电路由电感Lg2构成；所述第二级间匹配电路由电感Lg3构成；所述输出匹配电路由电感Ld3构成；第一级共源放大电路的负载由电阻R1和键合线寄生电感L1构成，第二级共源放大电路的负载由电阻R2和键合线寄生电感L2构成，第三级共源共栅放大电路的负载由电阻R3和键合线寄生电感L3构成；

其中，第一级共源放大电路由PMOS晶体管M1构成，第二级共源放大电路由PMOS晶体管M2构成，第三级共源共栅放大电路由PMOS晶体管M3和M4构成；第一级共源放大电路的PMOS晶体管M1的栅极为信号输入端Vin，PMOS晶体管M1的漏极连接电感Ld1的第一端，电感Ld1的第二端连接电阻R1后再连接键合线寄生电感L1的一端，键合线寄生电感L1的另一端接入电源端VDD，电阻Rf的两端分别连接信号输入端Vin和电感Ld1的第二端，PMOS晶体管M1的源极连接电感Ls1后接入接地端GND，PMOS晶体管M1的漏极通过电感Lg2与PMOS晶体管M2的栅极连接，PMOS晶体管M2的漏极连接电阻R2后再连接键合线寄生电感L2的一端，键合线寄生电感L2的另一端接入电源端VDD；PMOS晶体管M2的漏极通过电感Lg3与PMOS晶体管M3的栅极连接，PMOS晶体管M2的源极接地；PMOS晶体管M3的源极接地，其漏极通过电感Ld3与PMOS晶体管M4的源极连接，PMOS晶体管M4的漏极作为信号输出端Vout，并且该漏极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端与键合线寄生电感L3连接后接入电源端VDD，PMOS晶体管M4的栅极接入电源端VDD；

所述的高增益超宽带低噪声放大器在工作频率为100M-10GHz范围内，输入匹配低于-11dB，输出匹配低于-13dB。

2.如权利要求1所述的一种高增益超宽带低噪声放大器，其特征在于：所述的高增益超宽带低噪声放大器的噪声系数NF满足：3.5dB≤NF＜5dB。