[发明专利]铁电电容器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种铁电电容器结构，其特征在于，包括：

衬底层(1)，以及依次叠设于所述衬底层(1)上的缓冲层(2)、第一电极(3)、介质层(4)和第二电极(5)；

其中，所述衬底层(1)为柔性衬底，所述介质层为HfO₂铁电介质。

2.根据权利要求1所述的铁电电容器结构，其特征在于，所述缓冲层(2)材料为Al₂O₃，厚度为100nm。

3.根据权利要求1所述的铁电电容器结构，其特征在于，所述衬底层(1)材料为聚酰亚胺，厚度为500um。

4.根据权利要求1所述的铁电电容器结构，其特征在于，所述介质层(4)材料为铪锆氧，厚度为10nm。

5.根据权利要求4所述的铁电电容器结构，其特征在于，所述介质层(4)材料中，铪和锆的摩尔组分比例为1∶1。

6.根据权利要求4所述的铁电电容器结构，其特征在于，所述介质层(4)采用以Zr掺杂的HfO₂铁电介质。

7.根据权利要求1所述的铁电电容器结构，其特征在于，所述第一电极(3)和第二电极(5)材料均为氮化钛，厚度均为40nm。

8.根据权利要求1所述的铁电电容器结构，其特征在于，所述介质层(4)采用HfO₂铁电介质，其中掺杂Si、Al、Y或Gd；所述第一电极(3)和第二电极(5)材料均为W、TaN或高导硅。

9.一种基于权利要求2所述铁电电容器结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底层(1)，并清洗衬底层(1)；

在清洗完成的衬底层(1)上沉积缓冲层(2)；

在缓冲层(2)上溅射制备第一电极(3)；

在第一电极(3)上沉积介质层(4)；

在介质层(4)上涂光刻胶并曝光显影；

在经过上述处理后的介质层(4)上溅射制备第二电极(5)；

去除光刻胶和多余金属后退火处理。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在清洗完成的衬底层(1)上沉积缓冲层(2)，以及在第一电极(3)上沉积介质层(4)，均采用ALD工艺制备。