[发明专利]散热芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110364825.1 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN112736050B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 张鹏;默蓬勃;伊波力;郭双江 申请(专利权)人: 曙光数据基础设施创新技术(北京)股份有限公司
主分类号: H01L23/42 分类号: H01L23/42;G06F1/20
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 董艳芳
地址: 100082 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 散热 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种散热芯片的制备方法,其特征在于,包括:

将待处理芯片固定在冷却装置上;

按照预先设置的刻蚀图案,采用激光器对所述待处理芯片进行循环刻蚀,得到散热芯片;所述散热芯片包括芯片基体层和微纳散热结构层,所述微纳散热结构层形成于所述芯片基体层的表面;所述微纳散热结构层包括微米散热结构和微纳粗糙结构,所述微纳粗糙结构形成于所述微米散热结构的四壁上;

在将待处理芯片固定在冷却装置上之前,所述方法还包括:

将封装好的芯片表面清洗并擦拭干净,得到待处理芯片;

按照预先设置的刻蚀图案,采用激光器对所述待处理芯片进行循环刻蚀,得到散热芯片的步骤,包括:

在PLC中编程得到刻蚀图案;

按照所述刻蚀图案设定的参数对所述冷却装置上的待处理芯片进行激光刻蚀,直至刻蚀深度达到要求的深度终止刻蚀;

对刻蚀完成后的芯片进行清洗,得到所述散热芯片;

所述方法还包括:

在对所述待处理芯片进行循环刻蚀的过程中,通过温度传感器检测所述待处理芯片的表面温度;其中,所述温度传感器埋设于所述待处理芯片的逻辑电路层中;

根据所述待处理芯片的表面温度,控制所述冷却装置的制冷参数。

2.根据权利要求1所述的散热芯片的制备方法,其特征在于,将待处理芯片固定在冷却装置上的步骤,包括:

通过导热界面材料将所述待处理芯片粘结在所述冷却装置上,其中,所述冷却装置包括液冷板、半导体制冷器或均温板。

3.根据权利要求1或2所述的散热芯片的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:

在对所述待处理芯片进行循环刻蚀的过程中,通过除尘装置除去激光刻蚀产生的废渣和烟气。

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