[发明专利]一种碳化硅晶体制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将碳化硅籽晶置于生长腔体顶部；

将加热组件中的多个加热单元安装在所述生长腔体内部，其中，所述多个加热单元沿所述生长腔体的轴向方向间隔分布在所述生长腔体内部；

将至少部分源材料置于至少部分所述加热单元上表面，其中，

所述加热单元包括至少一个流通通道，所述至少一个流通通道贯穿所述加热单元；

在所述生长腔体内生长碳化硅晶体，碳化硅晶体生长时所述生长腔体内的径向温差不超过碳化硅晶体生长温度的第一预设范围。

2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，所述碳化硅晶体生长时所述生长腔体内的径向温差不超过碳化硅晶体生长温度的第一预设范围包括：

在碳化硅晶体生长过程中，基于温度传感组件获得的碳化硅晶体生长时所述生长腔体内的温度控制所述加热组件中的至少一个加热单元的至少一个参数，使碳化硅晶体生长时所述生长腔体内的径向温差不超过碳化硅晶体生长温度的第一预设范围。

3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在碳化硅晶体生长过程中，基于温度传感组件获得的碳化硅晶体生长时所述生长腔体内的温度控制所述加热组件中的至少一个加热单元的至少一个参数，使碳化硅晶体生长时所述生长腔体内的轴向温度梯度维持稳定。

4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，所述碳化硅籽晶至少通过拼接处理和缝隙生长制得。

5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，进行所述缝隙生长的晶面族相同。

6.根据权利要求5所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，

所述相同晶面族通过对多个待扩径六方晶型碳化硅籽晶分别进行第一切割得到。

7.根据权利要求6所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，

所述拼接处理包括：以经过所述第一切割得到的一个正六边形六方晶型碳化硅籽晶为中心，所述为中心的正六边形六方晶型碳化硅籽晶的六条边分别与六个不同的正六边形六方晶型碳化硅籽晶的各一条边拼接。

8.根据权利要求7所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，所述为中心的正六边形六方晶型碳化硅籽晶的表面积为所述碳化硅籽晶的表面积的25%-55%。

9.根据权利要求7所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，

在进行所述缝隙生长之前，所述方法还包括：

对进行所述拼接处理得到的多个正六边形六方晶型碳化硅籽晶进行第二切割，所述第二切割包括：

以所述为中心的正六边形六方晶型碳化硅籽晶的中心点为圆心，以设定半径为半径，进行圆形切割。

10.根据权利要求4所述的碳化硅晶体制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述缝隙生长得到的六方晶型碳化硅籽晶中间体进行外延生长。