[发明专利]半导体的晶圆及芯片测试方法

权利要求书

1.一种半导体的晶圆及芯片测试方法，其特征在于，包括：

晶圆或芯片表面具有金属互连层及焊盘，于所述晶圆或芯片表面形成一重布线层，所述重布线层将焊盘重新分布，以能够采用同一测试系统来测试晶圆或芯片翻转前后的性能。

2.根据权利要求1所述的晶圆及芯片测试方法，其特征在于，重布线层将焊盘重新分布的方法包括：

设计焊盘及焊盘连线的版图，所述版图将每个焊盘设置成独立的与金属互连层连接的连线区和金属区，且该版图设计将独立的连线区和金属区重新连线以匹配晶圆及芯片测试系统要求；

通过光刻及刻蚀工艺将版图图案转移至晶圆或芯片表面，焊盘重新分布，以采用晶圆及芯片测试系统对晶圆或芯片进行测试。

3.根据权利要求1所述的晶圆及芯片测试方法，其特征在于，重布线层将焊盘重新分布的方法包括：

设计焊盘及焊盘连线的版图，所述版图设计上引入新的焊盘及连线，以匹配晶圆及芯片测试系统要求；

于晶圆或芯片表面沉积金属层；

通过光刻及刻蚀工艺将版图图案转移至晶圆或芯片表面，以采用晶圆及芯片测试系统对晶圆或芯片进行测试。

4.根据权利要求3所述的晶圆及芯片测试方法，其特征在于，所述金属可为铝、铜或铝铜合金中的任意一种。

5.根据权利要求1~4任一项所述的晶圆及芯片测试方法，其特征在于，应用于需要翻转工艺的晶圆或芯片的性能测试。

6.根据权利要求5所述的晶圆及芯片测试方法，其特征在于，应用于背照式图像传感器的晶圆或芯片的正面性能测试：

在完成背照式图像传感器的正面工艺后，图像传感器晶圆或芯片正面形成与金属互连层连接的焊盘；

于晶圆或芯片正面制作重布线层，通过重布线层将焊盘重新分布，以实现背面工艺对应的晶圆或芯片测试系统可用于正面工艺后晶圆或芯片的性能测试。