[发明专利]一种基于适配体的重金属镉电化学传感器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110365780.X 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN113358715B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 黄和;江凌;徐生盼;张幸;李昺之 申请(专利权)人: 南京师范大学
主分类号: G01N27/26 分类号: G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210046 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 适配体 重金属 电化学传感器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于适配体的重金属镉电化学传感器,其特征在于,首先基于恒电位电沉积的方法,在导电玻璃ITO表面修饰花状纳米金,以增加传感器比表面积和导电速率,同时基于Au-S键合作用,在ITO表面连接上巯基化修饰的镉离子适配体,构建镉离子电化学检测传感界面,通过计时电量法计算得到镉离子的吸附量;所述的镉离子适配体为:5’-HS-(CH2)6-GGACTGTTGTGGTATTATTTTTGGTTGTGCAGTATG - 3’;所述沉积电位为0.3 V,沉积时间为1200s。

2.一种权利要求1所述的基于适配体的重金属镉电化学传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)恒电位电沉积制备花状纳米金修饰电极AuNFs/ITO;

(2)制备适配体/AuNFs/ITO传感器。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)是将导电玻璃ITO用丙酮、乙醇和超纯水依次超声清洗以除去表面污染物,然后在HAuCl4的水溶液中进行电沉积,沉积之前通N2除去溶解氧,制得花状纳米金修饰电极AuNFs/ITO。

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)是AuNFs/ITO超纯水洗净后,N2吹干,置于含有适配体的Tris-acetate缓冲液中室温下避光孵育,巯基修饰的适配体通过Au-S键合作用自组装到AuNFs/ITO表面,然后置于MCH溶液中浸泡以除去非特异性吸附活性位点,制备的适配体/AuNFs/ITO分别用PB缓冲液和超纯水润洗后,置于PB缓冲液中保存待用。

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