[发明专利]一种新型非铅基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110367172.2 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113192843B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 刘明侦;周军;王铭;李发明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 非铅基钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种新型非铅基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1.将氯化银以气相蒸镀的方法沉积在基底表面，氯化银的沉积速率为
步骤2.将碘化铋以气相蒸镀的方法沉积在步骤1所得到的氯化银薄膜上，碘化铋的沉积速率为其中，步骤1和步骤2气相蒸镀过程中基底保持匀速转动；
步骤3.将步骤2制备的均匀薄膜在氮气氛围内进行退火处理，退火处理前基底表面的AgCl和BiI3的摩尔比为(1.6～2.4):1，退火温度为130℃～190℃，退火时间为13min～20min，即可得到所需的Ag2BiI3Cl2钙钛矿薄膜。
2.如权利要求1所述的新型非铅基钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，退火处理前基底表面的AgCl层和BiI3层的厚度比为1:(1.65～2.47)。
3.如权利要求1～2任一所述方法制备得到的Ag2BiI3Cl2钙钛矿薄膜。
4.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗透明导电薄膜基底，在基底表面沉积TiO2电子传输层；然后采用如权利要求1～2任一所述方法在电子传输层表面制备Ag2BiI3Cl2新型钙钛矿薄膜层；在钙钛矿薄膜层表面旋涂制备聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]空穴传输层；最后在所述空穴传输层表面蒸镀制备Au金属电极层。
5.如权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述TiO2电子传输层的厚度为10nm～20nm；空穴传输层的厚度为10nm～20nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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