[发明专利]一种溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1.将碘化铅和溴化钾溶解于溶剂A中，混合均匀，并进行加热溶解，配制得到溶液A，其中，碘化铅和溴化钾摩尔比为(18.57～18.82):1，溴化钾在溶液A中的浓度为8.33～13.09mg/mL；

步骤2.将甲脒碘和溴化甲胺溶解于溶剂B中，混合搅拌均匀，配制得到溶液B，其中，甲脒碘和溴化甲胺的摩尔比为(5.2～5.87):1，溴化甲胺在溶液B中的浓度为5～10mg/mL；

步骤3.将步骤1得到的溶液A旋涂至基底表面，然后继续将步骤2得到的溶液B旋涂至基底表面，制备得到均匀薄膜；

步骤4.将步骤3制备的均匀薄膜在氮气氛围内进行退火处理，退火温度为130℃～150℃，退火时间为15min～20min，即可得到所需的溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜。

2.如权利要求1所述的溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，溶剂A为N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶液，N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比为4:1。

3.如权利要求1所述的溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中加热温度为60～70℃，加热时间为5～12h。

4.如权利要求1所述的溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，溶剂B为异丙醇或乙醇。

5.如权利要求1所述的溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中旋涂溶液A的工艺参数为：转速3000～4000r.p.m，旋涂时间为30～35s；旋涂溶液B的工艺参数为：转速4000～5000r.p.m，旋涂时间为30～35s。

6.如权利要求1所述的溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜的厚度为400～700nm。

7.如权利要求1～6任一所述制备方法得到的钙钛矿薄膜在制备钙钛矿太阳能电池中的应用。

8.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗透明导电薄膜基底，在基底表面沉积二氧化锡电子传输层；然后采用如权利要求1～6任一所述制备方法在电子传输层表面制备溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜层；在所述溴化钾掺杂的钙钛矿薄膜层表面旋涂制备2,2',7,7'-四溴-9,9'-螺二、三(4-碘苯)胺空穴传输层；最后在所述空穴传输层表面蒸镀制备Au金属电极层。

9.如权利要求8所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述电子传输层的厚度为40～60nm；所述空穴传输层的厚度为140～160nm。