[发明专利]一种集成电路的时延特性改进方法、装置及存储介质有效
申请号: | 202110367244.3 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN113204938B | 公开(公告)日: | 2022-08-12 |
发明(设计)人: | 蒋信;刘瑞盛;喻涛 | 申请(专利权)人: | 普赛微科技(杭州)有限公司 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F30/27 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 孙柳 |
地址: | 310000 浙江省杭州市临安区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 特性 改进 方法 装置 存储 介质 | ||
1.一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,包括:
模型建立步骤:对流片后的集成电路进行测试得出测试数据,并根据测试数据建立机器学习模型;
提取步骤:根据机器学习模型对集成电路的关键时延路径进行预测分析后得出第一分析结果;
改进步骤:根据第一分析结果对集成电路的设计方案进行改进;
判断步骤:根据机器学习模型对改进后的集成电路的关键时延路径进行预测分析得出第二分析结果,以及判断改进后的集成电路的时延特性是否满足设计规格要求,若是,交付改进后的集成电路的设计方案;若否,则根据第二分析结果对新的集成电路的设计方案进行改进后执行判断步骤。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,所述模型建立步骤还包括:
数据获取步骤:对流片后的集成电路进行测试得出测试数据,以及将测试数据划分为训练数据和评估数据;
模型训练步骤:建立机器学习模型并根据训练数据对机器学习模型进行训练及验证;
模型评估步骤:根据评估数据对训练及验证后的机器学习模型进行评估,并判断机器学习模型是否达到预设要求,若是,交付机器学习模型;若否,则执行数据获取步骤、模型训练步骤以及模型评估步骤。
3.根据权利要求2所述的一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,所述数据获取步骤还包括对测试数据进行预处理后将其划分为训练数据和评估数据。
4.根据权利要求3所述的一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,所述预处理包括清洗、标准化和相关性分析。
5.根据权利要求3所述的一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,对预处理后的测试数据通过预设方法进行处理;其中,预设方法包括以下任意一种或多种的组合:合成少数过采样方法、自适应合成采样方法、随机过采样方法、临界过采样方法、压缩最近邻方法、单边选择方法和随机欠采样方法。
6.根据权利要求2所述的一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,模型训练步骤具体包括:
模型建立步骤:进行特征工程并建立机器学习模型;
训练及验证步骤:选取训练数据的一部分对机器学习模型进行训练以及使用训练数据的剩余部分对训练后的机器学习模型进行验证;
判断步骤:判断验证通过后的机器学习模型是否达到预期,若是,则执行模型评估步骤;若否,则执行模型建立步骤。
7.根据权利要求6所述的一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,所述特征工程包括基于相关领域的专业知识、基于特定的特征工程方法以及基于相关领域的专业知识和基于特定的特征工程方法的组合;所述机器学习模型包括以下任意一种或多种的组合:神经网络模型、支持向量机模型、逻辑回归模型、聚类模型、K近邻模型、决策树模型、随机森林模型、提升树模型、线性回归模型和朴素贝叶斯模型。
8.根据权利要求2所述的一种集成电路的时延特性改进方法,其特征在于,在每次集成电路的设计方案改进后,执行模型更新步骤:
首先对改进后的集成电路进行流片并对流片返回的改进后的集成电路进行测试得到新的测试数据,然后将新的测试数据的部分或全部用于对机器学习模型的训练后得出新的机器学习模型,最后根据新的机器学习模型对系统中的机器学习模型进行更新。
9.一种集成电路的时延特性改进装置,包括存储器和处理器,所述存储器上存储有可在处理器上运行的时延特性改进程序,所述时延特性改进程序为计算机程序,其特征在于:所述处理器执行所述时延特性改进程序时实现如权利要求1-8中任一项所述的一种集成电路的时延特性改进方法的步骤。
10.一种存储介质,所述存储介质为计算机可读存储介质,其上存储有时延特性改进程序,所述时延特性改进程序为计算机程序,其特征在于:所述时延特性改进程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的一种集成电路的时延特性改进方法的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普赛微科技(杭州)有限公司,未经普赛微科技(杭州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110367244.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。