[发明专利]半导体器件

说明书

公开了包括位于衬底上的第一逻辑单元和第二逻辑单元的半导体器件。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元均包括：第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区在第一方向上彼此相邻；栅电极，所述栅电极横跨所述第一有源区和所述第二有源区，并且在所述第一方向上纵长地延伸；以及第一金属层，所述第一金属层位于所述栅电极上。所述第一金属层包括在垂直于所述第一方向的第二方向上纵长地延伸并且彼此平行的第一电力线和第二电力线。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元沿着所述第一电力线和所述第二电力线在所述第二方向上彼此相邻。所述第一有源区和所述第二有源区在所述第二方向上从所述第一逻辑单元纵长地延伸到所述第二逻辑单元。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年7月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0086654的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，并且更具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体器件。

背景技术

半导体器件由于其尺寸小、多功能和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。半导体器件可以包括存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有存储元件和逻辑元件的混合半导体器件。随着电子工业的演进发展，半导体器件越来越需要高度集成。例如，越来越需要高可靠性、高速度和/或多功能性的半导体器件。半导体器件逐渐复杂化并且集成以满足这些要求的特性。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了包括改善了集成度和性能的场效应晶体管的半导体器件。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括位于衬底上的第一逻辑单元和第二逻辑单元。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元均可以包括：第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区在第一方向上彼此相邻；栅电极，所述栅电极横跨所述第一有源区和所述第二有源区，并且在所述第一方向上纵长地延伸；以及第一金属层，所述第一金属层位于所述栅电极上。所述第一金属层可以包括在垂直于所述第一方向的第二方向上纵长地延伸并且彼此平行的第一电力线和第二电力线。所述第一逻辑单元和所述第二逻辑单元可以沿着所述第一电力线和所述第二电力线在所述第二方向上彼此相邻。所述第一有源区和所述第二有源区可以在所述第二方向上从所述第一逻辑单元纵长地延伸到所述第二逻辑单元。所述第一逻辑单元的所述第一金属层还可以包括在位于所述第一电力线和所述第二电力线之间的第一线轨迹上对准的一条或更多条第一下线路。所述第二逻辑单元的所述第一金属层还可以包括在位于所述第一电力线和所述第二电力线之间的第二线轨迹上对准的一条或更多条第二下线路。所述第一线轨迹和所述第二线轨迹可以在所述第二方向上延伸。所述第一逻辑单元的第一线轨迹沿第一方向以第一节距布置。所述第二逻辑单元的第二线轨迹沿第一方向以第二节距布置。所述第一逻辑单元的至少一条所述第一线轨迹可以设置在所述一条或更多条第一下线路的在所述第一方向上的中心处。所述第二逻辑单元的至少一条所述第二线轨迹可以设置在所述一条或更多条第二下线路的在所述第一方向上的中心处。所述第二线轨迹可以在所述第一方向上分别偏离相应的第一线轨迹。