[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：依次层叠设置在衬底上的栅极、栅绝缘层和有源层，以及位于所述栅绝缘层上且覆盖部分所述有源层的源极和漏极；所述有源层具有源极区、漏极区以及位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，所述有源层的材料为氧化物半导体；

其中，所述薄膜晶体管还包括位于所述沟道区远离所述栅绝缘层一侧表面上的金属纳米颗粒层，所述金属纳米颗粒层，被配置为防止刻蚀形成所述源极和所述漏极时所采用的刻蚀液对所述沟道区的损伤。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属纳米颗粒层还分布在所述源极区远离所述栅绝缘层一侧的表面、所述漏极区远离所述栅绝缘层一侧的表面以及所述栅绝缘层未被所述有源层覆盖的表面中的至少一个位置处。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属纳米颗粒层包括金属纳米颗粒，且所述金属纳米颗粒为Au纳米颗粒、Pt纳米颗粒、Ni纳米颗粒中的至少一者。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属纳米颗粒的形状为球形。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在沿着垂直于所述栅绝缘层所在平面的方向上，所述金属纳米颗粒层的厚度为1μm至2μm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括层叠设置的第一有源子层和第二有源子层，所述第二有源子层位于所述第一有源子层远离所述栅绝缘层的一侧；

其中，所述第一有源子层的载流子迁移率大于所述第二有源子层的载流子迁移率，且所述第一有源子层的带隙小于所述第二有源子层的带隙。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层还包括设置在所述第二有源子层远离所述第一有源子层一侧的刻蚀阻挡子层。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成栅极、栅绝缘层和有源层；所述有源层具有源极区、漏极区以及位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，所述有源层的材料为氧化物半导体；

在所述沟道区远离所述栅绝缘层一侧的表面上形成金属纳米颗粒层；

在所述栅绝缘层上形成覆盖部分所述有源层的源极和漏极；

其中，所述金属纳米颗粒层，被配置为防止刻蚀形成所述源极和所述漏极时所采用的刻蚀液对所述沟道区的损伤。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用真空蒸镀工艺形成所述金属纳米颗粒层，形成所述金属纳米颗粒层时的蒸镀速率为至蒸镀温度为100℃至400℃。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上形成覆盖部分所述有源层的源极和漏极的步骤之后，还包括：

在所述有源层的沟道区处涂覆醇类有机物；

对涂覆有所述醇类有机物的所述薄膜晶体管进行退火处理，以挥发掉所述沟道区处残留的水分子和有机物。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述醇类有机物为甲醇或乙醇，所述醇类有机物的浓度为20％至70％；

所述退火处理的氛围气体为空气，所述退火处理的温度为200℃至280℃，所述退火处理的时间为30分钟至90分钟。

12.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管；

所述阵列基板还包括：覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层，以及依次设置在所述第一钝化层上的平坦层、公共电极、第二钝化层和像素电极，所述像素电极通过贯穿所述第二钝化层、所述平坦层和所述第一钝化层的过孔，与所述薄膜晶体管的漏极连接。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的阵列基板。