[发明专利]一种半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法

权利要求书

1.一种半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将石英零件非喷涂区域进行遮挡保护后进行喷砂；

S2、将喷砂后的石英进行纯水超声波清洗，清洗后放入烘箱烘干；

S3、烘干后喷涂氧化钇涂层；

S4、喷涂后，将遮挡保护去掉，去掉毛刺，进行纯水超声清洗。

2.如权利要求1所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S1中喷砂时喷涂白刚玉或者氧化铝。

3.如权利要求2所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S1中喷砂采用手工喷涂，喷砂后的平均粗糙度Ra 3～4μm。

4.如权利要求1所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S2和S4中纯水超声清洗时水的电阻为16～18M。

5.如权利要求1所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S2和S4中超声波频率为80KHz，120KHz，132KHz，196KHz的任意2种频率交替使用，超声波震荡时间10～30min。

6.如权利要求1所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S2和S4中烘箱温度100～150℃，烘箱保温时间1～3h。

7.如权利要求1所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S3中采用大气等离子喷涂工艺向基体喷涂氧化钇涂层，喷涂材料为氧化钇粉末，该粉末是团聚球状，粉末纯度≥99.99％，粉末直径范围是30-50μm。

8.如权利要求1所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S3中喷涂工艺参数如下：氩气流量是30～50nplm；氢气流量是5-10nlpm；电流是570-610A；喷枪移动速度是7000-8000mm/sec；送粉速率是20-30g/min；喷涂距离是150-200mm。

9.如权利要求1所述的半导体用石英的氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，S3中涂层厚度范围是100～200μm，涂层粗糙度Ra 6～8μm，获得的氧化钇的孔隙率＜5％，涂层的结合力8～10MPa，硬度＞400HV。