[发明专利]基于芴或茚并芴及噻吩端基大带隙受体材料、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110370912.8 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113173929A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 白福锦;颜河 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;C07D495/22;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 噻吩 端基大带隙 受体 材料 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于芴或者茚并芴以及噻吩端基的大带隙非富勒烯受体材料，其特征在于，具有式⑴结构的化合物，
其中：Ar1为选择自如下的基团：
其中：R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9,R10,各自独立的选自H,C1-C30烷基，C3-C30环烷基，C1-C30烷氧基，C1-C30烷硫基，卤代C1-C30烷基，卤代C3-C30环烷基和卤代C1-C30烷氧基，卤代C1-C30烷硫基，其中所述C1-C30烷基，C3-C30环烷基，C1-C30烷氧基，C1-C30烷硫基，卤代C1-C30烷基，卤代C3-C30环烷基和卤代C1-C30烷氧基，卤代C1-C30烷硫基基团任选地被一个或者多个选自以下的基团取代：羟基，氰基，硝基和卤素；
Ar2独立选自如下的基团：
其中X，Y各自独立的选择于H，F，Cl，Br，I，CN，SCN，C1-C30烷基，C3-C30环烷基，C1-C30烷氧基，C1-C30烷硫基，卤代C1-C30烷基，卤代C3-C30环烷基和卤代C1-C30烷氧基，卤代C1-C30烷硫基；
并且Z独立的选择于含有-O-，-S-，-Se，-Te-，-(NR)-的基团；
并且A，B各自的独立选择于如下基团：
其中R11，R12各自独立选择于H,C1-C30烷基，C3-C30环烷基，C1-C30烷氧基，C1-C30烷硫基，卤代C1-C30烷基，卤代C3-C30环烷基和卤代C1-C30烷氧基，卤代C1-C30烷硫基。
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