[发明专利]铁电存储器及其操作方法

说明书

本发明提供了一种铁电存储器及其操作方法，包括：存储器阵列，被配置为按行和列布置多个存储单元；电压产生电路，被配置为对存储器阵列提供电源电压；控制电路，被配置为对存储器阵列进行读写操作；电压检测电路，被配置为对电源电压进行检测，其中：若电源电压小于阈值电压，则电压检测电路向控制电路发送第一信号，以禁止所述控制电路对下一个存储单元进行读写操作。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种铁电存储器及其操作方法。

背景技术

目前，铁电技术已经应用在非易失性固态读取/写入存储器件中。目前，这些通常被称为“铁电RAM”或者“FeRAM”或者“FRAM”器件的存储器件出现在许多电子系统中，特别是便携电子设备和系统中。

FRAM的读操作是破坏性的，被读取的数据保存在内部寄存器，但读操作造成存储单元中的数据丢失或破坏，需要一个“回写”动作将原来的数据再写入该存储单元，否则下次读取时造成错误；在读写数据时，需要满足一定的电压/时间要求，如果电压过低或者时间过短，都会导致读写失败，造成数据永久丢失；自身的功率损耗或不合理的系统设计可能会导致铁电存储器完整运行时的电压/时序裕量不足。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铁电存储器及其操作方法，以解决现有的铁电存储器在读写数据时电压/时序裕量不足造成数据永久丢失的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种铁电存储器，包括：

存储器阵列，被配置为按行和列布置多个存储单元；

电压产生电路，被配置为对存储器阵列提供电源电压；

控制电路，被配置为对存储器阵列进行读写操作；

电压检测电路，被配置为对电源电压进行检测，其中：

若电源电压小于阈值电压，则电压检测电路向控制电路发送第一信号，以禁止所述控制电路对下一个存储单元进行读写操作。

可选的，在所述的铁电存储器中，若电源电压大于阈值电压，则电压检测电路向控制电路发送第二信号，以使能所述控制电路对存储器阵列进行读写操作。

可选的，在所述的铁电存储器中，所述读写操作包括：

字线和板线上电，感测电路对一个存储单元的存储数据进行读取，读取后板线掉电；

对板线和/或位线施加相应的电压，对该存储单元的存储数据进行重新写入；

在存储器阵列的一个存储单元进行读写操作时，若控制电路接收到第一信号，则将该存储单元的读写操作完成，并停止对下一个存储单元进行读写操作。

可选的，在所述的铁电存储器中，所述存储器阵列包括参数配置存储区和普通数据存储区，其中：

若电源电压大于阈值电压，则电压检测电路向控制电路发送第二信号，以使能所述控制电路对存储器阵列进行读写操作；

在铁电存储器上电时，电压检测电路的上电时刻早于控制电路的上电时刻，若电源电压小于阈值电压，则电压检测电路向控制电路发送第一信号，以禁止所述控制电路对参数配置存储区的存储单元进行读写操作，当控制电路收到第二信号后启动，对参数配置存储区的存储单元进行读写操作，得到配置参数，使用配置参数配置寄存器；

完成后对普通数据存储区的存储单元进行读写操作。

可选的，在所述的铁电存储器中，所述控制电路包括读写逻辑控制电路、输入输出锁存电路、行地址锁存电路、列地址锁存电路、感测电路、行译码器、列译码器和存储单元驱动电路，其中：