[发明专利]一种变容压控振荡器及集成电路

说明书

一种压控振荡器，包括晶体，所述晶体的一端X1连接第一MOS变容管一端；所述晶体的另一端X2连接第二MOS变容管一端；所述第一MOS变容管的另一端与所述第二MOS变容管的另一端串接于接点A；所述接点A与所述压控振荡器的电源端连接。所述接点A通过第三电阻与所述压控振荡器的电源端连接。

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，特别涉及一种变容压控振荡器及集成电路。

背景技术

随着微电子技术的迅速发展，许多数字电路需要依赖于精准的时钟，从而准确地给各种状态和数据过程进行排序。石英晶振经常被这些系统所需要，对于越来越精密的需求，VCXO(压控振荡器)亦日趋成为很重要的应用。

发明内容

本发明实施例之一，一种压控振荡器，包括晶体、晶体两端之间并接的放大器和第一电阻。所述晶体的一端X1连接第一MOS变容管一端；所述晶体的另一端X2连接第二MOS变容管一端；所述第一MOS变容管的另一端与所述第二MOS变容管的另一端串接于接点A；所述接点A与所述压控振荡器的电源端连接。所述接点A通过第三电阻与所述压控振荡器的电源端连接。

优选的，压控振荡器包括多个MOS变容管，这些MOS变容管两两串接，其串接的接点分别接入一个电压转换配置电路，所述电压转换配置电路的输入通过第三电阻与所述压控振荡器的电源端连接。

本发明实施例的有益效果之一，采用了新型的非隔直振荡器架构，新型的多级可变电容模块，从而满足压控振荡器所需要的容变率和较宽的电容牵引率(pull-range)，并降低成本。电容牵引率是指电压改变时电容的变容率的变化。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本发明示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本发明的若干实施方式，其中：

图1现有的压控振荡器VCXO电路原理图。

图2为根据本发明实施例之一的压控振荡振荡器原理图。

图3为根据本发明实施例之一的压控振荡振荡器原理图。

图4为根据本发明实施例之一的压控振荡振荡器电路仿真的电容牵引率曲线图。

图5为根据本发明实施例之一的电压转换配置电路原理示意图。

1——晶振(晶体)，2——第一电阻，3——放大器，8——第三电阻，10——第一MOS变容管，11——第二MOS变容管，13——电压转换配置电路，101——第一二MOS变容管，111——第二二MOS变容管。

具体实施方式

在现有的VCXO电路中，均在外接晶体两端X1/X2与变容二极管之间使用了隔直电容，需要几十PF。由于隔直电容(固定电容)的串入，下面的变容二极管需要有更大的电容变化率，从而才能满足相同的晶体的负载电容变化率。以一颗负载电容变化范围为3.2倍的芯片为例，由于隔直电容的存在，变容二极管的电容变化范围需要大于6倍。同时由于容值相对固定的寄生电容的存在，可变二极管的电容变化率一般要求在8～10倍。电容的面积大大影响了产品的成本。

如图1所示为现有的带隔直电容的VCXO原理图。Cpg和Cpd即隔直电容，此架构的变容二极管接地。