[发明专利]一种频率可调压控振荡器及集成电路在审
申请号: | 202110371666.8 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113098393A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 吴洁;谢芳;马怀昌;裔鹏;林烨;陈晓霜;王继春 | 申请(专利权)人: | 上海锐星微电子科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
代理公司: | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人: | 孟旭彤 |
地址: | 200233 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 频率 可调 压控振荡器 集成电路 | ||
一种压控振荡器,包括晶体,所述晶体的一端X1连接第一MOS管的漏极,该第一MOS管的源极与漏极短接;所述晶体的另一端X2连接第二MOS管的漏极,该第二MOS管的源极与漏极短接;所述第一MOS管的栅极与所述压控振荡器的电压控制输入端VIN连接;所述第二MOS管的栅极与所述压控振荡器的电压控制输入端VIN连接。所述第一MOS管的栅极通过第三电阻与所述压控振荡器的电压控制输入端VIN连接;所述第二MOS管的栅极通过第四电阻与所述压控振荡器的电压控制输入端VIN连接。
技术领域
本发明属于电子电路领域,特别涉及一种频率可调压控振荡器以及集成电路芯片。
背景技术
随着电子技术日新月异的发展,石英晶体振荡器在各个领域的应用越来越广泛,它不仅大量地应用与通讯以及频标时标信号源的整机和设备中,随着科技的不断完善,亦越来越多的用于民用电子产品中。
压控晶体振荡器是石英晶体振荡器的一种,在精度和稳定性上有着突出的优势,并具有传输性能好、抗干扰、节省功率等优点。
现有的压控振荡器采用变容二极管,通过变容二级管对电压进行控制,进而影响压控振荡器的变化。压控振荡器主要由晶体振荡器、变容二极管和振荡电路组成。其工作原理是通过控制电压来改变变容二极管的电容,从而牵引石英谐振器的频率,因此在现有的压控振荡器设计过程中,变容二极管的选择尤为重要,其本身也成为压控振荡器的难点和弊端,难以实现压控振荡器所需要的容变率和较宽的电容牵引率(pull-range)。
发明内容
本发明实施例之一,一种压控振荡器,包括晶体,晶体两端之间并接放大器和第一电阻。所述晶体的一端X1连接第一MOS管的漏极,该第一MOS管的源极与漏极短接;所述晶体的另一端X2连接第二MOS管的漏极,该第二MOS管的源极与漏极短接;所述第一MOS管的栅极与所述压控振荡器的电压控制输入端VIN连接;所述第二MOS管的栅极与所述压控振荡器的电压控制输入端VIN连接。
本发明实施例之一,一种压控振荡器,包括晶体、晶体两端之间并接的放大器和第一电阻。所述晶体的一端X1连接第一MOS变容管一端;所述晶体的另一端X2连接第二MOS变容管一端;所述第一MOS变容管的另一端与所述第二MOS变容管的另一端串接于接点A;所述接点A与所述压控振荡器的电源端连接。所述接点A通过第三电阻与所述压控振荡器的电源端连接。
本发明实施例的有益效果之一,在压控振荡器中采用MOS管,利用常规CMOS工艺的MOS电容连结,可以根据不同的工艺条件,采用不同的电路结构,实现可调节频率的压控振荡器,从而满足压控振荡器所需要的容变率和较宽的电容牵引率(pull-range)。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述,本发明示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中,以示例性而非限制性的方式示出了本发明的若干实施方式,其中:
图1现有的一种晶体振荡器电路示意图。
图2现有的一种压控晶体振荡器电路示意图。
图3根据本发明实施例之一的压控振荡器电路示意图。
图4根据本发明实施例之一的电压转换电路性能曲线示意图。
图5根据本发明实施例之一的压控振荡器电路示意图。
图6根据本发明实施例之一的压控振荡器电路示意图。
图7根据本发明实施例之一的压控振荡器电路示意图。
图8现有的一种压控振荡器VCXO电路图。
图9为根据本发明实施例之一的压控振荡振荡器电路图。
图10为根据本发明实施例之一的压控振荡振荡器电路图。
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