[发明专利]一种用于共面互联的太阳电池片及太阳能电池串在审
申请号: | 202110372370.8 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113497159A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 丁晓春;郭晓珍 | 申请(专利权)人: | 江苏赛拉弗光伏系统有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/05 |
代理公司: | 常州易瑞智新专利代理事务所(普通合伙) 32338 | 代理人: | 周浩杰 |
地址: | 213101 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 共面互联 太阳电池 太阳能电池 | ||
1.一种用于共面互联的太阳电池片,包括晶体硅片;晶体硅片的正面印刷有正面电极,晶体硅片的背面印刷有背面电极;所述晶体硅片的正面制备PN结;其特征在于:所述晶体硅片上至少设有一个从正面延伸至背面的贯孔;晶体硅片的正面围绕贯孔设有用于断开PN结的电绝缘区;贯孔内填设有固化的导电浆料;固化的导电浆料位于晶体硅片的正面的一端与正面电极通过电绝缘区形成电绝缘,固化的导电浆料位于晶体硅片的背面的一端与背面电极电联接。
2.根据权利要求1所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:所述电绝缘区为空气电绝缘区或沉积电介质层或掺杂浓度低的晶体硅或印刷绝缘浆料或贴绝缘胶带。
3.根据权利要求1所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:所述电绝缘区为在晶体硅片的正面通过激光刻划出的凹槽,凹槽向晶体硅片的背面凹陷的深度超过PN结所在深度。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:所述正面电极包括正面细栅电极和正面主栅电极;所述正面细栅电极与正面主栅电极电联接;晶体硅片位于正面主栅电极的同一端设有与正面主栅电极一一对应的贯孔,每个贯孔的四周均设有电绝缘区。
5.根据权利要求1或2或3所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:所述正面电极是正面细栅电极;晶体硅片位于正面细栅电极的同一端设有与背面导电区一一对应的贯孔,每个贯孔在正面的四周均设有电绝缘区。
6.根据权利要求4所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:所述背面电极包括背面细栅电极和背面主栅电极;背面细栅电极与背面主栅电极电联接;贯孔与背面主栅电极一一对应,且贯孔内固化的导电浆料与对应的背面主栅电极电联接。
7.根据权利要求1所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:晶体硅片的边缘与正面电极的印刷区域之间留有间隙;所述电绝缘区全部或部分位于间隙内。
8.根据权利要求1所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:所述正面电极包括正面细栅电极和正面主栅电极;所述正面细栅电极与正面主栅电极电联接;晶体硅片的背面印刷有背面电极和导电区;背面电极与导电区电联接;晶体硅片的正面位于正面主栅电极的上端设有一个沿正面细栅电极延伸方向延伸的电绝缘区;导电区与电绝缘区相对设置;所述电绝缘区内排列设有多个贯孔,贯孔内固化的导电浆料与导电区电联接。
9.根据权利要求1所述的一种用于共面互联的太阳电池片,其特征在于:所述晶体硅片的正面印刷有两个对称设置的正面电极单元;晶体硅片的背面印刷有两个对称设置的背面电极单元;正面电极单元与背面电极单元一一对应;每个正面电极单元均包括正面细栅电极和正面主栅电极,且每个正面电极单元上的正面细栅电极与正面主栅电极电联接;对应每个正面电极单元的每个正面主栅电极的上端均对应设有一个电绝缘区;每个电绝缘区内均设有贯穿晶体硅片的贯孔;所述贯孔内固化的导电浆料与对应的背面电极单元电联接。
10.一种太阳电池串,其特征在于:包括多个排列设置的权利要求4所述的一种用于共面互联的太阳电池片;上一太阳电池片上固化的导电浆料位于晶体硅片正面的一端通过互联条与下一太阳电池片的正面主栅电极远离电绝缘区的一端电联接。
11.一种太阳电池串,其特征在于:包括多个排列设置的权利要求8所述的一种用于共面互联的太阳电池片;上一太阳电池片上固化的导电浆料位于晶体硅片正面的一端通过互联条与下一太阳电池片的正面主栅电极远离电绝缘区的一端电联接。
12.一种太阳电池串,其特征在于:包括多个由权利要求9所述的一种用于共面互联的太阳电池片切半形成的电池半片;每个电池半片的正面均印刷有正面电极单元,背面均印刷有背面电极单元;各电池半片排列设置;上一电池半片上固化的导电浆料位于晶体硅片正面的一端通过互联条与下一电池半片的正面主栅电极远离电绝缘区的一端电联接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的