[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成所述半导体器件所包括的沟道；所述沟道的材质含有锗；

对所述沟道进行原位交替循环的氧化处理和热处理，以降低所述沟道的表面粗糙度；

在所述沟道的外周原位形成界面层；其中，

所述对所述沟道进行原位交替循环的氧化处理和热处理，包括：

对所述沟道进行所述氧化处理，以在所述沟道的表面形成氧化亚锗层；所述氧化处理的处理条件为：温度为350℃~430℃；压力为0.1Torr~2Torr；时间为0.3s~2s；

原位对形成有所述氧化亚锗层的所述沟道进行所述热处理，以将位于沟道表面的所述氧化亚锗层解吸附；其中，在保护气体环境下原位对形成有所述氧化亚锗层的所述沟道进行所述热处理；所述保护气体为氮气或惰性气体；所述热处理的处理条件为：温度为350℃~430℃；时间为30s~1.5min；压力为0.1Torr~2Torr；

重复上述步骤，直至所述沟道的表面粗糙度小于或等于目标表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在第一臭氧基气体氛围中对所述沟道进行所述氧化处理；其中，

所述第一臭氧基气体为臭氧气体；或，

所述第一臭氧基气体为臭氧和氧气的第一混合气体；所述第一混合气体中臭氧和氧气的气体体积比为1:1~5:1。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在第二臭氧基气体氛围中原位形成所述界面层；其中，

所述第二臭氧基气体为臭氧气体；或，

所述第二臭氧基气体为臭氧和氧气的第二混合气体；所述第二混合气体中臭氧和氧气的气体体积比为4:1~10:1。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述界面层的形成温度为250℃~330℃。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述沟道的材质为Si_1-xGe_x或Ge；其中，0.2≤x＜1；

当所述沟道的材质为Si_1-xGe_x时，所述界面层的材质为SiO₂或GeO₂；

当所述沟道的材质为Ge时，所述界面层的材质为GeO₂。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在衬底上形成所述半导体器件所包括的沟道前，所述半导体器件的制造方法还包括：

在所述衬底上形成沿第一方向延伸的鳍状结构；

在所述衬底位于相邻所述鳍状结构之间的部分上形成浅槽隔离；所述鳍状结构暴露在所述浅槽隔离外的部分为鳍部；所述鳍部包括源/漏区形成区和沟道形成区；所述鳍部的材质含有锗；

在所述沟道形成区的外周形成沿第二方向延伸的牺牲栅；所述第二方向不同于所述第一方向；

在所述源/漏区形成区形成源/漏区；

去除所述牺牲栅；

所述在所述沟道的外周原位形成界面层后，所述半导体器件的制造方法还包括：

在所述界面层的外周形成栅堆叠结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为FinFET器件；

所述在衬底上形成所述半导体器件所包括的沟道，包括：

在去除所述牺牲栅后，所述鳍部所包括的所述沟道形成区形成所述沟道。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为环栅器件；所述鳍部包括至少一层叠层，每层所述叠层包括沿着衬底的厚度方向层叠在一起的沟道层和牺牲层；所述沟道层位于所述牺牲层上；

所述在衬底上形成所述半导体器件所包括的沟道，包括：

去除所述牺牲层位于所述沟道形成区内的部分，使得沟道层位于所述沟道形成区内的部分形成所述沟道。