[发明专利]有机发光二极管、显示面板和显示装置

说明书

本发明提出了一种有机发光二极管、显示面板和显示装置，有机发光二极管，包括：阳极，阴极，发光层，发光层包括激基复合物，激基复合物包括：第一化合物和第二化合物，第一化合物具有式(Ⅰ)所示的结构，第二化合物具有式(Ⅱ)所示的结构，由此，可通过将第一化合物和第二化合物的共混而成激基复合物作为发光主体材料，进而获得具有较好发光性能的有机发光二极管。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体地，涉及有机发光二极管、显示面板和显示装置。

背景技术

当今量产的OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)器件中，常见的绿光器件为磷光器件，其中绿光主体材料为是由P型材料(空穴传输)和N型材料(电子传输)共混而成，绿光掺杂材料为磷光材料，但是目前由P型材料和N型材料共混而成的绿光主体材料所制备的有机发光二极管具有发光亮度较弱，使用寿命较差等问题。

因此，目前的有机发光二极管、显示面板和显示装置仍有待改进。

发明内容

本申请旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

在本申请的一个方面，本发明提出了一种有机发光二极管，包括：阳极，阴极，发光层，所述发光层包括激基复合物，所述激基复合物包括：第一化合物和第二化合物，所述第一化合物具有式(Ⅰ)所示的结构，所述第二化合物具有式(Ⅱ)所示的结构，

其中，在式(Ⅰ)中，R1，R2各自独立地选自芳基、杂环基、芳基胺基、二苯并呋喃以及二苯并噻吩中的至少一种；其中，在式(Ⅱ)中，L为单键或亚芳基；n＝0，1，2，3；X为O，S，N-R7；R3-R7各自独立地选自氢、氘、烷基、芳基、杂环基、腈基、异腈基以及羟基中的至少一种。由此，可通过将第一化合物和第二化合物的共混而成激基复合物作为发光主体材料，进而获得具有较好发光性能的有机发光二极管。

根据本发明的实施例，在式(Ⅰ)中，R1，R2各自独立地选自经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基和经取代或未经取代的C6至C30芳基胺基中的至少一种；在式(Ⅱ)中，L为单键或经取代或未经取代的C6至C30亚芳基；n＝0，1，2，3；R3-R7各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C2至C30杂环基、经取代或未经取代的腈基以及经取代或未经取代的异腈基、羟基、硫醇基中的至少一种。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。

根据本发明的实施例，所述激基复合物中所述第一化合物和所述第二化合物的摩尔比为1：1。由此，可获得具有较优发光性能的激基复合物，进一步提高有机发光二极管的发光性能。

根据本发明的实施例，所述第一化合物的最高占据分子轨道为5.2eV-5.6eV，所述第二化合物的最高占据分子轨道为5.5eV-6.0eV，其中，所述第一化合物的最高占据分子轨道与所述第二化合物的最高占据分子轨道的差值的绝对值不小于0.3eV，所述第一化合物的最低未占据分子轨道与所述第二化合物的最低未占据分子轨道的差值的绝对值不小于0.3eV。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。

根据本发明的实施例，所述第一化合物的最高占据分子轨道与所述第二化合物的最低未占据分子轨道的间距为3.4埃米-5埃米。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。

根据本发明的实施例，所述激基复合物的第一激发单重态为2.3eV-2.7eV，所述激基复合物的第一激发三重态为2.2eV-2.6eV，其中，所述激基复合物的第一激发单重态与所述激基复合物的第一激发三重态的差值不大于0.2eV。由此，可进一步提高有机发光二极管的发光性能。