[发明专利]内置式永磁电机转子永磁体磁极及其PC值评估方法有效
申请号: | 202110372935.2 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113113990B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 黄苏融;张琪;曹海东;应红亮;罗建;王爽;王婧雯 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H02K1/276 | 分类号: | H02K1/276;H02K1/24 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 李佳俊;郭国中 |
地址: | 201900*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 内置 永磁 电机 转子 永磁体 磁极 及其 pc 评估 方法 | ||
1.一种内置式永磁电机转子永磁体磁极,其特征在于,包括嵌入在电机转子上的永磁体磁槽内的永磁体拼块磁极,所述永磁体拼块磁极由多块永磁体磁极沿电机转子周向拼合形成,多块永磁体磁极为非均匀分块的永磁体磁极;
所述电机转子的轴向方向为永磁体磁极面积的长度方向;
所述电机转子的径向方向为永磁体磁极磁化的高度方向;
所述电机转子的周向方向为永磁体磁极面积的宽度方向;
多块永磁体磁极的长度相同,宽度通过该永磁体磁极所在的区域确定;
设定在q轴区域的永磁体磁极的宽度为WA,在非q轴区域的永磁体磁极的宽度为WB,WA小于WB;
在q轴区域的永磁体磁极的宽度WA通过第一永磁体PC阈值确定,在非q轴区域的永磁体磁极的宽度WB通过第二永磁体PC阈值确定,第一永磁体PC阈值大于第二永磁体PC阈值;
以永磁体尺寸PC值作为永磁体磁极抗退磁能力等级参数,PC值越大、抗退磁能力等级越高;
永磁体磁极的抗退磁能力等级PC值取决于永磁体尺寸PC值,矩形永磁体尺寸PC值计算:
h为永磁体磁化方向高度,W为矩形永磁体宽度,L为矩形永磁体长度;
所述内置式永磁电机有单层“一”字型、单层与多层“V”字型、单层与多层“U”字型和“倒三角”型内置式转子永磁体均匀拼块磁极结构;
所述单层“一”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构,每块永磁体高度尺寸h和轴向长度尺寸L均保持一致;依据PCq≥2的准则,确定q轴区域永磁体宽度Wq;其余各拼块永磁体的宽度W依据PC≥1的准则进行确定,其中W大于Wq;将WA作为q轴区域,将WB作为非q轴区域;q轴区域的永磁体磁极的数量为一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥2的要求;非q轴区域的永磁体磁极的数量为一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥1的要求;
所述单层与多层“V”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构;对于内层“V”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构,依据PCq≥2的准则,确定q轴区域永磁体宽度尺寸Wq;其余各拼块永磁体的宽度W依据PC≥1的准则确定;对于外层“V”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构,依据PC≥1的准则,确定永磁体宽度尺寸W;其中W大于Wq;将WA作为q轴区域,将WB作为非q轴区域;q轴区域的永磁体磁极的数量可以是一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥2的要求;非q轴区域的永磁体磁极的数量为一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥1的要求;
所述单层与多层“U”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构,对于内层“U”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构,依据PCq≥2的准则,确定q轴区域永磁体宽度尺寸Wq;其余各拼块永磁体宽度W依据PC≥1的准则确定;对于外层“U”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构,依据PC≥1的准则,确定永磁体宽度尺寸W;其中W大于Wq;将WA作为q轴区域,将WB作为非q轴区域;q轴区域的永磁体磁极的数量为一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥2的要求;非q轴区域的永磁体磁极的数量为一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥1的要求;
“倒三角”型内置式转子永磁体拼块磁极结构;对于内层“V”字型内置式转子永磁体拼块磁极结构,依据PCq≥2的准则,确定q轴区域永磁体宽度尺寸Wq;其余各拼块永磁体的宽度W依据PC≥1的准则确定;对于外层“一”内置式转子永磁体拼块磁极,依据PC≥1的准则,确定永磁体宽度尺寸W;其中W大于Wq;将WA作为q轴区域,将WB作为非q轴区域;q轴区域的永磁体磁极的数量为一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥2的要求;非q轴区域的永磁体磁极的数量为一个或多个,每个永磁体磁极的宽度满足PC≥1的要求。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学,未经上海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110372935.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。