[发明专利]一种钝化层制作方法

说明书

本申请提供了一种钝化层制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一待钝化二极管，其中，待钝化二极管包括相互连接的N型层与P型层，然后利用正硅酸乙酯沿P型层的表面制作二氧化硅层，再去除目标区域内的二氧化硅层，并露出目标区域内的P型层，再对目标区域内的P型层与N型层进行刻蚀，以形成露出PN结的沟槽，最后利用玻璃粉在沟槽内实现电泳玻璃工艺，并将玻璃粉进行烧结，以形成钝化层。本申请提供的钝化层制作方法具有产品性能好、可靠性高以及复杂度低等优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种钝化层制作方法。

背景技术

在制作快恢复二极管时，需要利用玻璃粉制作钝化层，目前常见的利用玻璃粉制作钝化层的工艺一般包括三种，分别为手术刀法进行玻璃钝化、光阻玻璃法以及电泳玻璃法。

其中，手术刀法进行玻璃钝化的工艺属于纯手工操作，作业过程复杂，破片较多，且沟槽鸟嘴部分玻璃钝化保护不好，易引起可靠性问题。光阻玻璃法会造成玻璃粉较浪费，且因光阻玻璃较厚，不易曝光显影；烧结过程存在较多有机物，存在碳污染风险。电泳玻璃法：因快恢复二极管生产过程表面无氧化层(无绝缘层)，无法实现选择性电泳工艺(热生长的氧化层温度均大于1000度，影响产品的TRR值)；即使能实现电泳工艺，玻璃粉选择不恰当需进行引线工艺，工艺流程复杂。

综上，目前在制作钝化层时，存在可靠性低，复杂度高以及工艺流程复杂的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种钝化层制作方法，以解决现有技术中在制作钝化层时，存在的可靠性低，复杂度高以及工艺流程复杂等问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例提供了一种钝化层制作方法，应用于快恢复二极管，所述方法包括：

提供一待钝化二极管，其中，所述待钝化二极管包括相互连接的N型层与P型层；

利用正硅酸乙酯沿所述P型层的表面制作二氧化硅层；

去除目标区域内的二氧化硅层，并露出目标区域内的P型层；

对所述目标区域内的P型层与N型层进行刻蚀，以形成露出PN结的沟槽；

利用玻璃粉在所述沟槽内实现电泳玻璃工艺，并将所述玻璃粉进行烧结，以形成钝化层。

可选地，在利用所述正硅酸乙酯沿所述P型层的表面制作二氧化硅层时的温度低于900℃。

可选地，去除目标区域内的二氧化硅层，并露出目标区域内的P型层的步骤包括：

对所述二氧化硅层进行匀胶、曝光以及显影，以形成目标区域的图形；

利用氢氟酸对所述目标区域内的二氧化硅层进行刻蚀，以露出所述目标区域的P型层。

可选地，所述对所述目标区域内的P型层与N型层进行刻蚀，以形成露出PN结的沟槽的步骤包括：

将体积比为1:1～1:3的氢氟酸与硝酸进行混合，并获取刻蚀酸液；

利用所述刻蚀酸液对所述P型层与N型层进行刻蚀，并露出PN结。

可选地，在所述对所述目标区域内的P型层与N型层进行刻蚀，以形成露出PN结的沟槽的步骤之后，所述方法包括：

对所述沟槽进行清洗。

可选地，所述利用玻璃粉在所述沟槽内实现电泳玻璃工艺，并将所述玻璃粉进行烧结，以形成钝化层的步骤包括：

利用玻璃粉在所述沟槽内实现电泳玻璃工艺，并在700-850℃条件下，在N₂与O₂环境中，将所述玻璃粉进行烧结。