[发明专利]具有特殊支撑衬底射频谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种具有特殊支撑衬底射频谐振器，其特征在于：自上而下包括上电极、压电层、下电极、凹坑和衬底；所述上电极由叉指电极、汇流排和锚组成；所述下电极为叉指电极、平板电极或无电极中任一种；所述凹坑在衬底上刻蚀而得，凹坑范围大于上电极叉指电极的范围，刻蚀凹坑时上电极汇流排和锚的垂直下方的衬底材料保留，不作刻蚀。

2.根据权利要求1所述的具有特殊支撑衬底射频谐振器，其特征在于：所述衬底为硅衬底或SOI衬底；所述电极材料为Mo、Al、Pt、Au、W、Cu或Ti中任一种或多种组合；所述压电材料为AlN、ScAlN、ZnO、LiNbO3、LiTaO3或PZT中任一种。

3.一种制备如权利要求1或2所述的具有特殊支撑衬底射频谐振器的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)在衬底上刻蚀具备特殊形貌的凹坑；

2)沉积牺牲层，使牺牲层填满凹坑，并去除多余的牺牲层；

3)沉积种子层；

4)沉积下电极，并刻蚀成需要的电极形状；

5)沉积压电材料，并刻蚀成需要的形状和厚度；

6)沉积上电极，并刻蚀成需要的电极形状；

7)通入腐蚀性气体，释放掉步骤2)中的牺牲层，在衬底上形成凹坑。

4.根据权利要求3所述的具有特殊支撑衬底射频谐振器的制备方法，其特征在于：所述牺牲层材料为SiO2、SiN、PSG、BPSG或多晶Si中任一种；所述腐蚀性气体为VHF或XeF2。

5.根据权利要求4所述的具有特殊支撑衬底射频谐振器的制备方法，其特征在于：具体步骤如下：

1)在衬底(100)上刻蚀一个特殊形状的凹坑(101)，该凹坑整体外形为矩形，该矩形范围包含了上电极叉指电极(201)和汇流排(202)，也包含了下电极(104)平板电极；在汇流排(202)和锚(203)对应的位置保留了相同形状的衬底材料，以起到预期的支撑作用；

2)沉积牺牲层(102)以填充凹坑(101)，并去除多余的牺牲层材料；

3)沉积种子层(103)；

4)沉积并刻蚀下电极(104)，所述下电极(104)采用平板电极；

5)沉积压电薄膜层(105)；

6)沉积并刻蚀上电极(106)；

7)在压电薄膜层(105)上刻蚀释放孔(107)，所述释放孔(107)位于凹坑(101)内，且与上电极(106)、下电极(104)不相交，通入腐蚀性气体释放牺牲层(102)，形成凹坑(101)。