[发明专利]一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法在审
| 申请号： | 202110373948.1 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113113314A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王浩;湛飞;马国坤;饶毅恒;桃李;段金霞;彭小牛;万厚钊 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 张文俊 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 临界 二氧化碳 流体 处理 mos 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将MOS管置于超临界流体反应腔体内，向所述反应腔体内加入水；
向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为100～140℃，反应1～2h。
2.如权利要求1所述的基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，其特征在于，水的加入量为0.3～1ml。
3.如权利要求1所述的基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，其特征在于，向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为3000psi、温度为120℃，反应1.5h。
4.如权利要求2所述的基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，其特征在于，水的加入量为0.5ml。
5.如权利要求1所述的基于超临界二氧化碳流体处理MOS管的方法，其特征在于，所述MOS管为N沟道增强型MOS管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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