[发明专利]一种晶体硅碱抛光添加剂及使用方法

权利要求书

1.一种晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于，包括以下成分：

冠醚；

柠檬酸；

聚季铵盐；

乙二胺四乙酸二钠；

硅烷偶联剂；

十二烷基氨基丙酰胺；

苯甲酸钠；

去离子水。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅碱抛光添加剂，其特征在于：其成分的占质量百分比如下：

冠醚：5.0-6.0％；

柠檬酸：2.0-4.0％；

聚季铵盐：2.0-2.5％；

乙二胺四乙酸二钠：1.5-2.0％；

硅烷偶联剂：0.5-1.5％；

十二烷基氨基丙酰胺：0.1-0.5％；

苯甲酸钠：0.3-0.5％；

去离子水：83-88.6％。

3.根据权利要求2所述的一种晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于：取适量晶体硅碱抛光添加剂加入碱性溶液中，混合均匀后配成抛光液，放入硅片完成抛光反应。

4.根据权利要求3所述的一种晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于：所述添加剂用量占抛光液总体积的比例为0.5～1.5％，所述碱性溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液，其中氢氧化钾或氢氧化钠在抛光液中的含量为10～200g/L。

5.根据权利要求3所述的一种晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于：所述抛光反应的温度为50～80℃，反应时间为120s～360s。

6.根据权利要求3所述的一种晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于：所述硅片的放置方式采用以水平或竖直方式浸没于抛光液中或以水平方式漂浮于抛光液表面其中的一种。

7.根据权利要求3所述的一种晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于：所述硅片采用单面有氧化层或两面均没有氧化层的硅片的其中一种。

8.根据权利要求3所述的一种晶体硅碱抛光添加剂的使用方法，其特征在于：硅片完成抛光反应后，依次经过去离子水清洗、后处理、水洗、酸洗、水洗后烘干，后处理工艺为0.1％～2％的KOH或NaOH与1～8％H2O2的混合溶液、温度为40～70℃、清洗时间为60s～300s；

酸洗工艺为HF：HCl：H2O＝1:2:4的混酸溶液、酸洗温度为10～40℃、时间为60s～300s。