[发明专利]电极结构及其制备方法、显示基板、显示装置

权利要求书

1.一种电极制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包括导电膜层；

在所述导电膜层上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成过孔；

在所述过孔内形成过孔填充结构，所述过孔填充结构沿垂直于所述平坦化层方向的厚度等于所述过孔的深度；

采用纳米压印工艺及干刻工艺，在所述平坦化层上形成电极层；所述电极层通过所述过孔填充结构与所述导电膜层电连接。

2.根据权利要求1所述的电极制备方法，其中，所述在所述电极过孔内形成过孔填充结构，包括：

采用电镀填充工艺在所述电极过孔内形成所述过孔填充结构；

其中，所述过孔填充结构的材料包括金属。

3.根据权利要求2所述的电极制备方法，其中，所述在所述导电膜层上形成平坦化层之前，还包括：

在所述导电膜层上形成电镀种子层，所述电镀种子层的材料与所述过孔填充结构的材料相同。

4.根据权利要求1所述的电极制备方法，其中，所述在所述过孔内形成过孔填充结构，包括：

采用气相沉积工艺，在所述过孔内形成所述过孔填充结构；所述过孔填充结构包括依次形成的沉积种子层以及与所述沉积种子层材料相同的所述过孔填充子结构。

5.根据权利要求2或4所述的电极制备方法，还包括：

在所述过孔内形成过孔填充材料，所述过孔填充材料沿垂直于所述平坦化层方向的厚度大于所述过孔的深度；

采用化学机械抛光工艺对所述过孔填充材料进行处理，形成所述过孔填充结构。

6.根据权利要求5所述的电极制备方法，其中，所述采用纳米压印工艺及干刻工艺在所述平坦化层上形成电极层，包括：

在所述平坦化层上形成第一压印胶层；

采用纳米压印工艺在所述第一压印胶上形成与所述电极层的图案相同的第一压印胶图案；

采用干刻工艺，去除所述第一压印胶图案中与所述电极层位置重合的部分所述第一压印胶层；

形成电极材料膜层；

剥离剩余的所述第一压印胶层，生成所述电极层。

7.根据权利要求5所述的电极制备方法，其中，所述采用纳米压印工艺及干刻工艺在所述平坦化层上形成电极层，包括：

在所述平坦化层上形成电极材料膜层；

在所述电极材料膜层上形成第二压印胶层；

采用紫外纳米压印工艺在所述第二压印胶层上形成与所述电极层的图案相同的第二压印胶图案；

采用干刻工艺，去除所述第二压印胶图案中与所述电极层位置不重合的部分所述第二压印胶层；

剥离剩余的所述第二压印胶层，生成所述电极层。

8.根据权利要求1所述的电极制备方法，其中，所述导电膜层包括源漏极层，所述电极层包括多个与子像素单元对应的阳极单元或与亚像素单元对应的阳极子单元；所述电极层的材料包括金属或金属氧化物组成的多层结构。

9.一种电极结构，包括：

衬底，包括导电膜层；

平坦化层，设置于所述衬底上，包括过孔；

过孔填充结构，设置于所述过孔内，所述过孔填充结构沿垂直于所述平坦化层方向是厚度等于所述过孔的深度；

电极层，设置于所述平坦化层上，通过所述过孔填充结构与所述导电膜层连接。

10.根据权利要求9所述的电极结构，其中，所述过孔填充结构通过电镀填充工艺在所述电极过孔内形成；所述电极结构，还包括：

电镀种子层，设置于所述导电膜层与所述平坦化层之间，且所述电镀种子层的材料与所述过孔填充结构的材料相同。

11.一种显示基板，包括如权利要求9或10所述的电极结构。

12.一种显示装置，包括如权利要求11所述的显示基板。