[发明专利]一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET

权利要求书

1.一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，其特征在于，包括用于密勒钳位的BJT（2），以及设置在所述BJT（2）两侧的MOSFET元胞（1）；

所述BJT（2）包括由下至上依次层叠设置的漏极金属（3）、N+型衬底（4）和N-型外延层（5）；

所述BJT（2）的所述N-型外延层（5）的顶层中具有第一P型阱区（6），所述第一P型阱区（6）的顶层中具有间隔设置的N型阱区（7）和第一P+欧姆接触区（10），所述N型阱区（7）位于所述第一P+欧姆接触区（10）的两侧；所述N型阱区（7）中具有间隔设置的第二P+欧姆接触区（8）和第一N+欧姆接触区（9）；

所述第一P+欧姆接触区（10）的第一部分上具有源极金属（11）；

所述MOSFET元胞（1）包括由下至上依次层叠设置的漏极金属（3）、N+型衬底（4）和N-型外延层（5）；

所述MOSFET元胞（1）的所述N-型外延层（5）的顶层中具有第二P型阱区（16），所述第二P型阱区（16）的顶层中具有侧面相互接触的第三P+欧姆接触区（18）和第二N+欧姆接触区（19），且所述第二N+欧姆接触区（19）位于所述第三P+欧姆接触区（18）的两侧；所述MOSFET元胞（1）的所述N-型外延层（5）、第二P型阱区（16）、第三P+欧姆接触区（18）和所述第二N+欧姆接触区（19）上具有栅氧化层（15）；

所述栅氧化层（15）的第一部分上具有源极金属（11），所述栅氧化层（15）远离所述BJT（2）的第二部分与所述MOSFET元胞（1）的所述源极金属（11）之间具有层间介质层（12）；所述栅氧化层（15）靠近所述BJT（2）的第三部分上具有多晶硅（14），所述多晶硅（14）为MOSFET的栅极，高阻材料（13）依次连接所述第一P+欧姆接触区（10）的第二部分、所述第一P型阱区（6）、所述N型阱区（7）、所述第一N+欧姆接触区（9）、所述第二P+欧姆接触区（8）和所述多晶硅（14），所述MOSFET元胞（1）的所述源极金属（11）和所述多晶硅（14）之间、所述高阻材料（13）和所述MOSFET元胞（1）的所述源极金属（11）之间以及所述高阻材料（13）和所述BJT（2）的所述源极金属（11）之间均具有层间介质层（12）；

所述多晶硅（14）与所述第二P+欧姆接触区（8）之间形成第一电阻R1，所述第二P+欧姆接触区（8）与所述第一N+欧姆接触区（9）之间形成第二电阻R2，所述第一N+欧姆接触区（9）与所述第一P+欧姆接触区（10）之间形成第三电阻R3，第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3之和小于MOSFET的栅极电阻；

所述BJT（2）的源极金属（11）与所述MOSFET元胞（1）的源极金属（11）短接；

所述BJT（2）的漏极金属（3）与所述MOSFET元胞（1）的漏极金属（3）短接。

2.根据权利要求1所述的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，其特征在于，所述BJT（2）的N-型外延层（5）与所述MOSFET元胞（1）的N-型外延层（5）同时形成。

3.根据权利要求1所述的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，其特征在于，所述BJT（2）的N+型衬底（4）与所述MOSFET元胞（1）的N+型衬底（4）同时形成。

4.根据权利要求1所述的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，其特征在于，所述第一P型阱区（6）和所述第二P型阱区（16）同版注入或者扩散形成。

5.根据权利要求1所述的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，其特征在于，所述第一P+欧姆接触区（10）、所述第二P+欧姆接触区（8）和所述第三P+欧姆接触区（18）同版注入或者扩散形成。

6.根据权利要求1所述的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，其特征在于，所述第一N+欧姆接触区（9）和所述第二N+欧姆接触区（19）同版注入或者扩散形成。

7.根据权利要求1所述的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，其特征在于，所述高阻材料（13）为半绝缘多晶硅。