[发明专利]电荷侦测电路、其侦测方法及显示面板

权利要求书

1.一种电荷侦测电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第一存储电容以及第二存储电容；

所述第一薄膜晶体管的栅极电连接于第一电源信号，所述第一薄膜晶体管的漏极电连接于第二电源信号，所述第一薄膜晶体管的源极电连接于第一节点；

所述第二薄膜晶体管的栅极电连接于所述第一节点，所述第二薄膜晶体管的漏极电连接于第三电源信号，所述第二薄膜晶体管的源极电连接于第二节点；

所述第三薄膜晶体管的栅极电连接于第一控制信号，所述第三薄膜晶体管的漏极电连接于所述第二节点，所述第三薄膜晶体管的源极电连接于积分器的输入端；

所述第四薄膜晶体管的栅极电极连接于第二控制信号，所述第四薄膜晶体管的漏极电连接于第四电源信号，所述第四薄膜晶体管的源极电连接于所述第一节点；

所述第一存储电容的一端电连接于所述第一薄膜晶体管的栅极，所述第一存储电容的另一端电连接于所述第一节点；

所述第二存储电容的一端电连接于所述第四薄膜晶体管的漏极，所述第二存储电容的另一端电连接于所述第二节点。

2.根据权利要求1所述的电荷侦测电路，其特征在于，所述第一电源信号、所述第二电源信号、所述第三电源信号、所述第四电源信号、所述第一控制信号以及所述第二控制信号相组合先后对应于初始阶段、放大光电流阶段、获取光电流阶段以及复位阶段。

3.根据权利要求2所述的电荷侦测电路，其特征在于，所述第一电源信号、所述第二电源信号、所述第三电源信号以及所述第四电源信号均为固定直流电压，所述第一电源信号、所述第二电源信号、所述第三电源信号以及所述第四电源信号的电压大小为-10伏至20伏。

4.根据权利要求2所述的电荷侦测电路，其特征在于，在所述获取光电流阶段，所述第一控制信号为高电位，所述第二控制信号为低电位。

5.根据权利要求2所述的电荷侦测电路，其特征在于，在所述复位阶段，所述第一控制信号为低电位，所述第二控制信号为高电位。

6.根据权利要求2所述的电荷侦测电路，其特征在于，在所述初始阶段和所述放大光电流阶段，所述第一控制信号为低电位，所述第二控制信号为低电位。

7.根据权利要求1所述的电荷侦测电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管以及所述第四薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管。

8.一种电荷侦测电路的侦测方法，其特征在于，所述侦测方法包括以下步骤：

初始阶段，在光环境下，向第一薄膜晶体管的栅极输入第一电源信号，向所述第一薄膜晶体管的漏极输入第二电源信号，所述第一薄膜晶体管被打开且产生光电流，所述光电流由所述第一薄膜晶体管的源极输出至第一存储电容和第二薄膜晶体管，输出至所述第二薄膜晶体管的光电流对应形成所述第二薄膜晶体管的栅极的开启电压，以使所述第二薄膜晶体管打开；

放大光电流阶段，向所述第二薄膜晶体管的漏极输入第三电源信号，所述第二薄膜晶体管放大所述光电流经所述第二薄膜晶体管放大的所述光电流由所述第二薄膜晶体管的源极输出至第二存储电容，所述第二存储电容对经所述第二薄膜晶体管放大的所述光电流进行积分，积累电荷量；

获取光电流阶段，向第三薄膜晶体管的栅极输入第一控制信号，打开所述第三薄膜晶体管，所述第二存储电容中存储的电荷量由所述第三薄膜晶体管的源极输出至积分器；

复位阶段，向第四薄膜晶体管的栅极输入第二控制信号，打开第四薄膜晶体管，向所述第四薄膜晶体管的漏极施加第四电源信号，以拉低所述第二薄膜晶体管的源极电极，使所述第二薄膜晶体管关闭。

9.根据权利要求8所述的电荷侦测电路的侦测方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为光敏薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管可在光照下产生所述光电流。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的电荷侦测电路。