[发明专利]用于直接四层级单元(QLC)编程的存储系统和方法在审

专利信息
申请号: 202110376176.7 申请日: 2021-04-08
公开(公告)号: CN113936725A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: E.沙隆 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C29/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 直接 层级 单元 qlc 编程 存储系统 方法
【权利要求书】:

1.一种存储系统,其包括:

存储器;以及

控制器,其配置成:

产生下部、中间和上部数据页的码字;

使用三层级单元编程操作在所述存储器中对所述下部、中间和上部数据页的所述码字进行编程;

读取所述存储器中的所述下部、中间和上部数据页的所述码字的编程;

产生顶部数据页的码字;以及

使用读取到的下部、中间和上部数据页在所述存储器中对所述顶部数据页的所述码字进行编程。

2.根据权利要求1所述的存储系统,其中所述下部、中间和上部数据页的所述码字利用平衡2-3-2格雷码映射进行编程。

3.根据权利要求2所述的存储系统,其中在所述存储器中对所述顶部数据页的所述码字进行编程利用2-3-2-8格雷码映射引发四层级单元(QLC)分布。

4.根据权利要求1所述的存储系统,其中在不使用错误校正的情况下检索读取数据。

5.根据权利要求1所述的存储系统,其中从所述存储器阵列中读取所述下部、中间和上部页,而不在所述控制器中的写入缓冲器中检索它们。

6.根据权利要求1所述的存储系统,其中通过利用错误校正码奇偶校验位对所述下部、中间和上部数据页进行编码来产生所述码字。

7.根据权利要求6所述的存储系统,其中通过利用多于所述下部、中间和上部数据页的错误校正码奇偶校验位对所述顶部数据页进行编码来产生所述顶部数据页的所述码字。

8.根据权利要求1所述的存储系统,其中在所述存储器裸片上或在键合到所述存储器裸片的CMOS裸片(CbA)上使用低复杂度ECC解码器检索读取到的模糊数据。

9.一种在包括存储器和控制器的存储系统中的方法,其包括:

计算下部、中间和上部数据页的第一和第二奇偶校验位;

使用三层级单元编程操作利用所述第一奇偶校验位对所述下部、中间和上部数据页进行编程;

在所述存储器中读取所述下部、中间和上部数据页的编程;以及

在所述存储器中对顶部数据页进行编程。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述下部、中间和上部数据页利用平衡2-3-2格雷码映射进行编程。

11.根据权利要求10所述的方法,其中在所述存储器中对所述顶部数据页进行编程利用2-3-2-8格雷码映射引发四层级单元(QLC)分布。

12.根据权利要求9所述的方法,其中利用所述第一奇偶校验位和所述第二奇偶校验位的异或签名对所述顶部数据页进行编程。

13.根据权利要求9所述的方法,其中从所述存储器阵列中读取所述下部、中间和上部页,而不在所述控制器中的写入缓冲器中检索它们。

14.根据权利要求1所述的方法,其中所述顶部页包括小于所述下部、中间和上部页的有效负载。

15.一种存储系统,其包括:

存储器;

用于以与每个页中的转变数目成比例的错误校正码奇偶校验位的量对下部、中间、上部和顶部数据页中的每一个进行编码的构件;

用于使用三层级单元编程操作在所述存储器中对所述下部、中间和上部数据页进行编程的构件;

用于读取所述存储器中的所述下部、中间和上部数据页的编程的构件;以及

用于在所述存储器中对所述顶部数据页进行编程的构件。

16.根据权利要求15所述的存储系统,其中所述下部、中间和上部数据页利用平衡2-3-2格雷码映射进行编程。

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