[发明专利]硅片导电类型的判定方法在审
| 申请号： | 202110376796.0 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113125854A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 魏星;李名浩;刘赟;栗展;魏涛;刘文凯;戴荣旺;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;G01R31/28;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 张敏 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 导电 类型 判定 方法 | ||
1.一种硅片导电类型的判定方法，其特征在于，包括：
提供待测硅片，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；
对所述待测硅片进行刻蚀处理；
对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，
对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型。
2.如权利要求1所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，所述待测硅片的电阻率为100ohm·cm～10000ohm·cm。
3.如权利要求1所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，采用湿法刻蚀对所述待测硅片进行刻蚀处理，所述刻蚀剂为氢氟酸溶液。
4.如权利要求3所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的质量分数的范围为30％～50％。
5.如权利要求3所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，对所述待测硅片进行湿法刻蚀包括：将所述待测硅片在所述刻蚀剂中浸泡一设定时间，所述设定时间为30s～20min。
6.如权利要求1所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，若所述第一电阻率大于所述第二电阻率，则所述待测硅片的导电类型为N型，若所述第一电阻率小于所述第二电阻率，则所述待测硅片的导电类型为P型。
7.如权利要求1所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试之前，还包括：
对所述待测硅片进行快速热处理，以去除所述待测硅片中的热施主。
8.如权利要求1所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，将所述待测硅片进行刻蚀处理之后，对所述待测硅片进行第二次电阻率测试之前，还包括：
对所述待测硅片进行清洗。
9.如权利要求8所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，使用去离子水清洗所述待测硅片。
10.如权利要求1所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，采用直排四探针法对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第二次电阻率测试。
11.如权利要求10所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试和第一次电阻率测试的测试区域相同，均为离所述待测硅片的边缘1cm～15cm以内的区域。
12.一种硅片导电类型的判定方法，其特征在于，包括：
提供待测硅片，对所述待测硅片进行刻蚀处理；
测量所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况；以及，
根据所述待测硅片中不同深度的电阻率变化情况判断所述待测硅片的导电类型。
13.如权利要求12所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，所述待测硅片的电阻率为100ohm·cm～10000ohm·cm。
14.如权利要求12所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，采用湿法刻蚀对所述待测硅片进行刻蚀处理，所述刻蚀剂为氢氟酸溶液。
15.如权利要求14所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的质量分数的范围为30％～50％。
16.如权利要求14所述的硅片导电类型的判定方法，其特征在于，对所述待测硅片进行湿法刻蚀包括：将所述待测硅片在所述刻蚀剂中浸泡一设定时间，所述设定时间为30s～20min。
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