[发明专利]一种全光开关有效
| 申请号： | 202110377420.1 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113064310B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈传彬;蒙自明 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苏云辉 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 开关 | ||
【权利要求书】：
1.一种全光开关，其特征在于，包括：
呈三明治结构的SOI基底；
所述SOI基底的一侧表面刻蚀有多组呈周期排列的硅双棒，所述硅双棒由两个相对间隔设置的硅棒构成，每个所述硅棒的中部均断开，所述硅棒的中部断开间隔为140-170nm，所述多组呈周期排列的硅双棒在横向和纵向的周期参数均大于900nm；
多组硅双棒之间，以及每组硅双棒中的两个所述硅棒之间均填充有设定折射率的聚合物，且所述聚合物完全覆盖所述硅双棒的表面，所述聚合物是在硅双棒结构超构表面旋转涂覆聚合物薄膜后烘干溶剂得到的，所述聚合物完全覆盖所述硅双棒后，超出所述硅双棒的部分高度不低于所述硅双棒高度的二分之一。
2.根据权利要求1所述的全光开关，其特征在于，所述硅双棒为矩形结构。
3.根据权利要求1所述的全光开关，其特征在于，两个所述硅棒的高度相同。
4.根据权利要求1所述的全光开关，其特征在于，两个所述硅棒之间的间隔为150nm。
5.根据权利要求1所述的全光开关，其特征在于，所述设定折射率为1.59。
6.根据权利要求5所述的全光开关，其特征在于，所述设定折射率的聚合物为聚苯乙烯。
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