[发明专利]一种低触发电压的SCR器件及其制备方法

权利要求书

1.一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，包括：

一衬底；

一外延层，形成于所述衬底的上表面，所述外延层中包括：

一第一P型掺杂区，所述第一P型掺杂区中包括第一N型注入区、第二N型注入区；

一第一N型掺杂区，所述第一N型掺杂区中包括第三N型注入区、第一P型注入区；

一第二P型掺杂区，所述第二P型掺杂区中包括第四N型注入区、第三P型注入区；

第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区中包括第五N型注入区、第四P型注入区；

第二P型注入区，所述第二P型注入区与所述第一N型掺杂区、所述第二P型掺杂区耦接；

隔离结构，所述隔离结构纵向的自所述外延层的上表面贯穿所述外延层至所述衬底中，所述第一P型掺杂区被所述隔离结构隔离；

一介质层，形成于所述外延层的上表面；

多个金属层，分别形成于每个N型注入区和P型注入区的上方；

多条金属连线，用以使所述第一N型注入区、所述第三N型注入区、所述第一P型注入区、所述第五N型注入区和所述第四P型注入区相连接并引出作为所述器件的阳极，所述第四N型注入区和所述第三P型注入区相连接并引出作为所述器件的阴极，所述第二N型注入区和所述第二P型注入区相连接。

2.根据权利要求1所述的一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，所述外延层的电阻率大于所述衬底的电阻率。

3.根据权利要求1所述的一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，所述第一P型掺杂区的注入元素为硼，离子注入剂量为5E12～5E13每平方厘米，注入能量60～100KeV；

所述第二P型掺杂区的注入元素为硼，离子注入剂量为5E14～8E14每平方厘米，注入能量40～60KeV；

所述第一N型掺杂区和所述第二N型掺杂区的注入元素为磷，离子注入剂量为5E13～1E14每平方厘米，注入能量60～80KeV。

4.根据权利要求1所述的一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，每个所述N型注入区的注入元素为磷或砷，离子注入剂量为1E15～1E16每平方厘米，注入能量为80～100KeV，于离子注入后进行热退火，热退火温度为850℃～950℃，时间为30～60分钟。

5.根据权利要求1所述的一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，所述第四N型注入区与所述第一N型掺杂区之间的距离，以及所述第四N型注入区与所述第二N型掺杂区之间的距离不超过6μm。

6.根据权利要求1所述的一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，所述第一N型注入区和所述第二N型注入区之间的距离不超过5μm。

7.根据权利要求1所述的一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，每个所述P型注入区的注入元素为硼或二氟化硼，离子注入剂量为1E15～1E16每平方厘米，注入能量为40～80KeV，于离子注入后进行热退火，热退火温度为950～1050℃，时间为10～30秒。

8.根据权利要求1所述的一种低触发电压的SCR器件，其特征在于，所述P型注入区之间的距离不小于2μm。