[发明专利]一种改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺在审
申请号: | 202110378333.8 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113284956A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 李铁 | 申请(专利权)人: | 李铁 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;B41M1/12;B41M1/22;B41M1/26;B41M3/00 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 许益民 |
地址: | 154000 黑龙江省*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改进 太阳能电池 印刷 工艺 | ||
1.一种改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:所述的印刷工艺包括以下步骤:
背电极印刷:浆料采用银浆,印刷压力55N-70N,印刷速度300 mm/s-450mm/s,回墨速度600mm/s -1200mm/s,烘干温度100℃-200℃;
背电场印刷:浆料采用铝浆,印刷压力55N-70N,印刷速度300 mm/s-450mm/s,回墨速度600mm/s -1200mm/s,烘干温度150℃-300℃;
正电极主栅印刷:浆料采用低固含银浆,刮刀运动方向平行于电池片主栅的长度方向,网版间距-1600μm至-1000μm,印刷压力55N-70N,印刷速度300mm/s-450mm/s,回墨速度600mm/s-1200mm/s,烘干温度150℃-300℃;
正电极副栅印刷:浆料采用正面副栅银浆,网版间距-1600μm至-1000μm,印刷压力55N-70N,印刷速度300mm/s-450mm/s,回墨速度600mm/s-1200mm/s;
烧结:在烧结炉中进行烧结,烧结炉设置烘干区和烧结区,烘干区温度180℃-350℃,烧结区温度400℃-950℃。
2.如权利要求1所述的改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:正电极主栅印刷步骤中,网版选用360目丝网,纱厚20μm,膜厚10-15μm,主栅数目为9,设计线宽100μm。
3.如权利要求1所述的改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:正电极主栅印刷步骤中,银浆的固含量为80%-90%。
4.如权利要求1所述的改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:正电极主栅印刷步骤中,网版间距为-1300μm。
5.如权利要求1所述的改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:正电极主栅印刷步骤中,印刷压力为60N。
6.如权利要求1所述的改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:正电极主栅印刷步骤中,印刷速度为380mm/s。
7.如权利要求1所述的改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:正电极主栅印刷步骤中,回墨速度为1000mm/s。
8.如权利要求1所述的改进的晶硅太阳能电池片印刷工艺,其特征在于:烘干区设置6个温区,依次为320℃、300℃、280℃、250℃、220℃和180℃;烧结区设置8个温区,每个温区由上下两个温度控制,上温区依次为450℃、460℃、530℃、645℃、690℃、690℃、690℃和825℃;下温区依次为465℃、480℃、595℃、690℃、830℃、830℃、830℃和750℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李铁,未经李铁许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110378333.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的