[发明专利]一种适用于多电芯的芯片级联采集装置在审
| 申请号： | 202110378469.9 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113140814A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 何浩辉 | 申请（专利权）人： | 江苏博强新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42;H01M50/569 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 翁惠瑜 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 多电芯 芯片 级联 采集 装置 | ||
1.一种适用于多电芯的芯片级联采集装置，包括级联的至少两个采集芯片，级联的第一个采集芯片与MCU连接，其余采集芯片通过隔离芯片与MCU连接，其特征在于，至少在第一个采集芯片的地线处连接与有用于抵消其他采集芯片功耗的功耗补偿电路。
2.根据权利要求1所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述功耗补偿电路连接于对应采集芯片的地线与该采集芯片所连接的最后一节电芯之间。
3.根据权利要求2所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述功耗补偿电路包括半导体器件，该半导体器件分别通过一电阻连接所述最后一节电芯、地以及补偿开关。
4.根据权利要求3所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述半导体器件包括三极管、MOS管或光耦。
5.根据权利要求1所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述隔离芯片连接有隔离电源，所述隔离电源与总电源连接。
6.根据权利要求4所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述隔离芯片和隔离电源一体化封装设置。
7.根据权利要求1或5所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述第一个采集芯片具有充放电MOS驱动端，所述MCU采集各所述其余采集芯片的电压信号后融合产生一第一驱动指令，传输至所述第一个采集芯片，所述第一个采集芯片组合所述第一驱动指令与自身电压信号产生第二驱动指令，通过所述充放电MOS驱动端发出。
8.根据权利要求1或5所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述MCU连接有MOS驱动芯片，所述MCU采集所有所述采集芯片的电压信号后融合产生一驱动指令，通过所述MOS驱动芯片发出。
9.根据权利要求1或5所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述第一个采集芯片的供电端通过降压模块与总电源连接，所述其余采集芯片由其所连接的电芯提供电源。
10.根据权利要求9所述的适用于多电芯的芯片级联采集装置，其特征在于，所述降压模块包括LDO或稳压二级管。
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