[发明专利]一种实现无甲胺钙钛矿薄膜表面重构的制备方法及其应用有效
申请号: | 202110378771.4 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113193126B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 刘明侦;方达富;李发明 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 无甲胺钙钛矿 薄膜 表面 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种实现无甲胺钙钛矿薄膜表面重构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1.采用一步旋涂法在衬底表面制备Cs-FA杂化钙钛矿薄膜;
步骤2.配制疏水性铵盐溶液:将正己基三甲基溴化铵溶解于异丙醇溶剂中,混合搅拌均匀,其中,正己基三甲基溴化铵在疏水性铵盐溶液中的浓度为2.6~3.2mmol/L;
步骤3.在步骤1的Cs-FA杂化钙钛矿薄膜表面旋涂步骤2配制的疏水性铵盐溶液,其中,旋涂工艺参数为:转速4000~5000r.p.m,旋涂时间10~60s;
步骤4.将步骤3旋涂后的衬底进行退火处理,退火温度为140~160℃,时间为30~60s,退火结束后即可得到所需的基于表面重构的无甲胺钙钛矿薄膜。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1中采用一步旋涂法制备Cs-FA杂化钙钛矿薄膜的具体过程为:
步骤1.1.配制钙钛矿前驱液:将碘化铅、碘化甲脒、氯化铯和氯化甲脒粉末溶解于混合有机溶剂中,加热搅拌,使其完全溶解,然后过滤即可得到钙钛矿前驱液;
步骤1.2.在衬底表面旋涂步骤1.1配制的钙钛矿前驱液,并在旋涂过程中滴加反溶剂;
步骤1.3.将步骤1.2得到的薄膜放置于氮气氛围中进行退火处理,退火结束后即可得到所需的Cs-FA杂化钙钛矿薄膜。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1.1中有机溶剂为二甲基亚砜和N,N-二甲基甲酰胺混合得到的溶液,其体积比为二甲基亚砜:N,N-二甲基甲酰胺=1:4。
4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1.2中旋涂的具体过程为:将前驱体液滴加在衬底表面,设定转速为1000r.p.m,旋涂时间为10秒,之后1秒内转速由1000升至6000r.p.m,旋涂时间为20秒,在旋涂结束前最后10秒快速滴加150~200μL氯苯反溶剂。
5.如权利要求1~4任一制备方法得到的Cs-FA杂化钙钛矿薄膜在钙钛矿太阳能电池中的应用。
6.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:清洗FTO透明导电薄膜基底,在基底表面旋涂制备SnO2电子传输层;然后采用如权利要求1~4任一所述方法在SnO2电子传输层表面制备Cs-FA杂化钙钛矿薄膜层;在钙钛矿薄膜层表面旋涂制备Spiro-OMeTAD空穴传输层;最后在所述空穴传输层表面蒸镀制备Au金属电极层。
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