[发明专利]晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法

说明书

本发明的一个课题在于，提供一种在各晶圆之间组成是变动的晶圆组，自该晶圆组制造的产品容易确保均匀性。本发明的另一个课题在于，提供一种技术，利用该技术能够排除形成OF时的不确定因素，并能够以极高的概率和极高的精度来形成OF。本发明提供晶圆组和与其相关的技术，该晶圆组由自同一个铸锭得到的多个晶圆构成，而且所有的晶圆都具有OF，其中，该晶圆组由70张以上的晶圆构成，各晶圆的OF方位精度在±0.010°以内。

本申请是国际申请日为2015年12月9日(进入中国国家阶段日期：2017年06月19日)、国际申请号为PCT/JP2015/084529(国家申请号：201580069413.8)、发明名称为“晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法，特别是涉及具有两个相对的主面和通过劈开形成的定位平面(OF)的晶圆组、晶圆的制造装置及晶圆的制造方法。

背景技术

作为半导体装置用途，主要使用晶圆(例如硅晶圆、GaAs晶圆)。如专利文献1所示，通过将铸锭切片来制作该晶圆。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－243976号公报

发明内容

发明要解决的问题

在晶圆中，为了控制结晶的电特性，添加了作为杂质的预定的元素(以下称作“载体”。)。不言而喻，这对于作为晶圆的基础的铸锭也是同样的。载体具有在结晶熔体内偏析的倾向。因此，在利用结晶生长制作的铸锭的从一端到另一端之间，载体的浓度变动(例如增加)。

这样的话，在自同一个铸锭得到的晶圆中，理所当然在晶圆之间载体浓度并不恒定。详细地讲，在自同一个铸锭切下来的多个晶圆中，从自铸锭的一端附近切下来的晶圆A1观看时与另一端侧相邻的晶圆A2的载体浓度增加。这一点，在从晶圆A2观看并着眼于与另一端侧相邻的晶圆A3的载体浓度时也是同样的。

假定设想自同一个铸锭切下100张晶圆的情况。对于从铸锭的一端附近切下来的晶圆A1～从另一端附近切下来的晶圆A100，在将各晶圆的编号(A“1”，A“2”，···A“99”，A“100”)设为X轴、将各晶圆内的载体浓度设为Y轴时形成的曲线图成为具有连续性的直线或者曲线。其原因在于，各晶圆是由同一个铸锭制作的。

另外，这一点对于在铸锭内产生的缺陷也是同样的。也就是说，在按照上述的编号顺序观察各晶圆时，各晶圆内的缺陷的位置、大小一点点地变动。

另外，图1是该曲线图为直线的情况的图表。另外，为了便于说明，Y轴将各晶圆的编号增加时的载体浓度的变动量(在此是增量)作为1个单位来计算。以下，在易于理解地说明本实施方式的关系上，使用图1或者将其变形而成的图(图2)进行说明。

原本，无论在组成的方面还是在缺陷的位置、大小的方面，都优选在晶圆之间是完全相同的。其原因在于，若是完全相同的，则即使在使用晶圆制造半导体装置等的情况下，也不必针对各晶圆逐个地变动在晶圆上设置其他物质时的条件，能够在相同的条件下进行制造工序。

但是，在自铸锭制作各晶圆的条件下，载体浓度的变动是不可避免的。这样的话，在使用晶圆制造半导体装置等的情况下，会使在晶圆上设置其他物质时的条件变动。但另一方面，在自同一个铸锭制作的各晶圆中，只要预先明确载体浓度如何变动、换一种说法就是载体浓度的连续性，就也可以与载体浓度的连续性相应地使在晶圆上设置其他物质时的条件也连续地变化。由此，能够使最终制造的半导体装置等的各种特性在各半导体装置等中均匀化。

但是，在此产生与晶圆的定位平面(以下简称作“OF”。)相关的较大的课题。