[发明专利]一种低温共烧材料及制备的用于过流保护的生瓷片、器件

权利要求书

1.一种低温共烧材料，其特征在于，以所述低温共烧材料的总量计，由如下质量含量的组分组成：

陶瓷粉40-70wt%；

玻璃粉20-40wt%；

添加剂5-20wt%；

稀土化合物 1-10wt%；

所述陶瓷粉为钛酸钡系列、氧化铝系列、氧化钛系列、氧化硅系列陶瓷粉中的一种；

所述玻璃粉为ZnO-SiO₂-Al₂O₃、BaO-ZnO-Al₂O₃-CaO、CaO-Al₂O₃-SiO₂、ZnO-Al₂O₃-Bi₂O₃、ZnO-SiO₂-Al₂O₃-B₂O₃体系玻璃中的一种；

所述添加剂为Mg₂SiO₄、硅酸锶、钛酸镁、钛酸锶中的一种；

所述稀土化合物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕中的一种或多种。

2.一种低温共烧流延浆料，其特征在于，由权利要求1所述低温共烧材料配方粉以及有机载体组成。

3.根据权利要求2所述的低温共烧流延浆料，其特征在于，由如下质量含量的组分组成：

权利要求1所述的低温共烧材料50-55wt%；

溶剂25-30wt%；

分散剂0.1-0.5wt%；

消泡剂0.1-0.5wt%；

粘合剂20-25wt%；其中，所有组分的含量之和为100%。

4.一种低温共烧生瓷片，其特征在于，由权利要求2或3所述低温共烧流延浆料制备。

5.一种过流保护器件，其特征在于，所述器件包括由权利要求4所述的低温共烧生瓷片成型的基体。

6.根据权利要求5所述的过流保护器件，其特征在于，所述器件包括由至少两层所述生瓷片叠层形成的基体（7），表层的所述生瓷片成型有可容纳金属熔断导线（1）与引导电极（2）的沟槽（3）。

7.根据权利要求6所述的过流保护器件，其特征在于：

所述引导电极包括金、银、铜、铝、铂、镍中的一种或两种合金材料；

所述金属熔断导线包括铅锡合金或纯锡材料。

8.一种制备权利要求6或7所述过流保护器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：将所述生瓷片切割并印刷导电浆料，打填充孔及对位孔并填充导电金属浆料，将至少两侧所述生瓷片叠层，并表面层预留成型可容纳所述金属熔断导线（1）与引导电极（2）相连的沟槽（3），在所述沟槽（3）填充导电金属浆料，等静压后烧结并切成单个保险丝，经烧结、封端、电镀处理后，在其表面贴装所述金属熔断导线（1）于所述沟槽（3）中并与所述引导电极（2）相连，即得。

9.根据权利要求8所述的过流保护器件的制备方法，其特征在于，所述烧结步骤条件为：空气气氛下自室温升至250℃，再自250℃升温至350℃，最后自350℃升温至840-890℃，控制各升温阶段的升温速率彼此独立的为1-5℃/min，保温时间为2-4h。