[发明专利]用于沟槽场板功率MOSFET的终端

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一主表面和第二主表面、有源区域以及终端区域；

绝缘沟槽，所述绝缘沟槽从所述第一主表面朝向所述第二主表面延伸，每一个所述绝缘沟槽包括导电场板和上覆于所述导电场板的栅极电极，所述栅极电极通过栅极-场板绝缘体与所述场板分离，其中所述导电场板在所述有源区域和所述终端区域中均纵向延伸并且所述终端区域中不存在所述栅极电极；

第一导电类型的主体区，所述主体区在所述绝缘沟槽对之间横向延伸；以及

第二导电类型的第一间隔区和第二间隔区，所述第一间隔区和所述第二间隔区在所述终端区域处在所述绝缘沟槽的所述对之间横向延伸以在所述第一间隔区与所述第二间隔区之间产生所述第一导电类型的区段，所述区段与所述主体区隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述区段为第一区段，并且所述半导体装置另外包括在所述终端区域中在所述绝缘沟槽的所述对之间横向延伸的所述第二导电类型的第三间隔区，所述第三间隔区与所述第二间隔区隔开以在所述第二间隔区与所述第三间隔区之间产生所述第一导电类型的第二区段，所述第二区段与所述第一区段隔离且与所述主体区隔离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一区段呈现平行于所述绝缘沟槽的纵向尺寸的第一区段宽度；并且

所述第二区段呈现平行于所述绝缘沟槽的所述纵向尺寸的第二区段宽度，所述第二区段宽度不同于所述第一区段宽度。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述终端区域环绕所述有源区域，并且所述半导体装置另外包括环绕所述终端区域的绝缘终端沟槽，其中导电屏蔽板存在于所述终端沟槽中，并且所述第一导电类型的第三区段存在于所述第三间隔区与所述绝缘终端沟槽之间，所述第三区段与所述第一区段和所述第二区段隔离并且与所述主体区隔离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一间隔区呈现平行于所述绝缘沟槽的纵向尺寸的第一间隔宽度；并且

所述第二间隔区呈现平行于所述绝缘沟槽的所述纵向尺寸的第二间隔，所述第二间隔宽度不同于所述第一间隔宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

每一个所述绝缘沟槽包括第一末端部分和第二末端部分以及在所述第一末端部分与所述第二末端部分之间纵向延伸的中间部分，其中所述第一间隔区和所述第二间隔区在所述绝缘沟槽的所述对的所述第一末端部分之间横向延伸；并且

所述半导体装置另外包括所述第二导电类型的第三间隔区和第四间隔区，所述第三间隔区和所述第四间隔区在所述绝缘沟槽的所述对的所述第二末端部分之间横向延伸以在所述第三间隔区与所述第四间隔区之间产生所述第一导电类型的额外区段，所述额外区段与所述主体区隔离。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每一个所述绝缘沟槽中的所述栅极电极的远侧末端限定所述有源区域的外周，其中所述第一间隔区和所述第二间隔区以及所述区段中的至少一个在所述有源区域的所述外周处邻近所述栅极电极并且通过绝缘体与所述栅极电极分离。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔区和所述第二间隔区以及所述区段中的至少一个在所述终端区域中邻近所述场板且通过绝缘体与所述场板分离。