[发明专利]一种应用于智能超表面的控制方法及智能超表面的控制器有效
申请号: | 202110380307.9 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113241530B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 裴熙隆;尹海帆;谭力;张昆;王锴;陆骋 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01Q15/14 | 分类号: | H01Q15/14 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 王颖翀 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 智能 表面 控制 方法 控制器 | ||
1.一种应用于智能超表面的控制方法,其特征在于,所述方法包括:
S1:计算智能超表面各RIS单元在当前时刻的控制电压信号,将所述智能超表面的RIS单元划分为至少一个集合;
S2:确定每个集合内各RIS单元在该时刻所需的电压控制信号;
S3:选取一个集合,向扫描线驱动电路发送扫描信号,所述扫描信号用于传输至晶体管的栅极,以选通该集合的各RIS单元;
S4:向信号线驱动电路发送该集合的电压控制信号,所述电压控制信号经数模转换后传输至晶体管的源极,以同时加载到该集合的各RIS单元;
S5:重复步骤S3-S4,直至各集合在该时刻所需的电压控制信号均已加载完毕;
以预设时间间隔重复步骤S3-S4,直至各集合在当前时刻所需的电压控制信号均已加载完毕;
预设时间间隔与电容容值满足以下关系:
其中,t为时间间隔,C1为电容容值,n为智能超表面RIS单元的行数,T为智能超表面RIS单元刷新一次所需的时间,RRIS为RIS单元的阻值,Icharge为电容的充电电流,Vds为晶体管漏极和源极之间的电压差;
所述智能超表面包括位于外层的多个RIS单元;位于里层的控制电路板,用于调整每个RIS单元的反射幅度或相移;
所述控制电路板包括:扫描线驱动电路、信号线驱动电路和多个模拟通断电路;
多个RIS单元与多个模拟通断电路一一对应;模拟通断电路包括晶体管和电容,晶体管的栅极与扫描线驱动电路连接,源极与信号线驱动电路连接,漏极分别与RIS单元的一端及电容的一端连接,RIS单元的另一端及电容的另一端接地;
所述扫描线驱动电路,与控制器连接,用于接收控制器发送的扫描信号,传输至晶体管的栅极,选通RIS单元;
所述信号线驱动电路,与控制器连接,用于接收控制器发送的电压控制信号,将电压控制信号进行数模转换并传输至晶体管的源极,加载到选通的RIS单元。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述智能超表面的RIS单元划分为多个相同的集合,每个集合包括若干行、若干列或者若干块。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,晶体管的漏极通过运算放大器与RIS单元连接。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述扫描线驱动电路为译码逻辑电路或移位寄存器电路。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,晶体管为场效应管。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,晶体管为三极管或薄膜晶体管。
7.一种智能超表面的控制器,其特征在于,包括:计算机可读存储介质和处理器;
所述计算机可读存储介质用于存储可执行指令;
所述处理器用于读取所述计算机可读存储介质中存储的可执行指令,执行如权利要求1-6任一项所述的智能超表面的控制方法。
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