[发明专利]反射型掩模坯料、其制造方法和反射型掩模

权利要求书

1.一种反射型掩模坯料，其是用于在使用EUV光作为曝光光的EUV光刻中使用的反射型掩模的材料，该反射型掩模坯料包括基板、在该基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜、和在该多层反射膜上形成并吸收曝光光的吸收体膜，其中

所述吸收体膜是由第一层构成的单层、或由从基板侧开始的第一层和第二层构成的多层，

所述第一层由钽和氮组成，

所述第二层由钽和氮及40at％以下的氧组成，并且

所述第一层含有55至70at％的钽和30至45at％的氮。

2.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收体膜在厚度方向上的中央部具有非晶或晶体结构，并且基板侧的结晶性高于所述中央部的结晶性。

3.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收体膜在厚度方向上的中央部具有非晶或晶体结构，并且在远离基板侧的结晶性高于所述中央部的结晶性。

4.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收体膜具有0.6nm以下的表面粗糙度RMS。

5.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述吸收体膜不含β-Ta晶相、α-Ta晶相和立方TaN晶相。

6.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其包括保护膜，其中所述保护膜介于所述多层反射膜和所述吸收体膜之间，与所述多层反射膜相接触，并且具有与所述吸收体膜不同的蚀刻特性。

7.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其还包括在所述基板的另一个主表面上形成的导电膜。

8.权利要求1所述的反射型掩模坯料，其中，所述一个主表面具有152mm见方的尺寸，并且在形成所述吸收体膜之前和之后在142mm见方的该表面的中心区域内的翘曲TIR的变化量ΔTIR的绝对值为0.4μm以下。

9.一种制造权利要求1所述的反射型掩模坯料的方法，包括通过反应性溅射形成所述吸收体膜的步骤，其中应用使用Ta靶和溅射气体的磁控溅射，该溅射气体为稀有气体，并且氮气N₂作为反应性气体。

10.一种由权利要求1所述的反射型掩模坯料制造的反射型掩模。