[发明专利]一种金属凸块结构及制造方法

权利要求书

1.一种金属凸块结构，其特征在于，包括：

裸芯片，具有基板和设置在所述基板上表面的焊盘、钝化层，所述焊盘自所述钝化层上的钝化层开口向外暴露；

金属化层，至少覆盖在所述金属焊盘的上表面并完全覆盖所述钝化层开口；

金属凸块，成型在所述金属化层的上表面并具有位于所述钝化层开口的底部。

2.根据权利要求1所述的金属凸块结构，其特征在于，部分所述金属化层覆盖在所述钝化层的上表面，且仅部分位于钝化层开口内的金属化层的上表面形成有金属凸块。

3.根据权利要求1所述的金属凸块结构，其特征在于，位于所述金属凸块之外的金属化层向外暴露。

4.根据权利要求1所述的金属凸块结构，其特征在于，所述金属凸块横截面的尺寸小于所述钝化层开口的尺寸。

5.根据权利要求1所述的金属凸块结构，其特征在于，所述金属凸块包括第一电镀层和成型在第一电镀层之上的第二电镀层；所述第一电镀层采用金属铜、镍、金的一种或多种；所述第二电镀层采用金属锡、银、铅的一种或多种。

6.一种如权利要求1至5所述的金属凸块结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，基板的上表面形成有焊盘和钝化层，所述焊盘自钝化层上的钝化层开口向外暴露；

在钝化层的上表面及焊盘的上表面覆盖金属化层；

在金属化层的上表面成型第一光阻层，去除目标位置的第一光阻层以形成窗格并在窗格内成型金属凸块；

去除剩余第一光阻层后在所述金属化层的上表面形成第二光阻层；

去除预设位置之外的金属化层之上的第二光阻层，以使预设位置之外的金属化层向外暴露；

在去除预设位置之外的金属化层后去除剩余第二光阻层。

7.根据权利要求6所述的金属凸块结构的制造方法，其特征在于，所述预设位置至少覆盖金属凸块之外的钝化层开口。

8.根据权利要求6所述的金属凸块结构的制造方法，其特征在于，所述窗格的尺寸小于钝化层开口的尺寸。

9.根据权利要求8所述的金属凸块结构的制造方法，其特征在于，所述窗格设置在所述钝化层开口的中心位置。

10.根据权利要求5所述的金属凸块结构的制造方法，其特征在于，“保留预设位置处的金属化层之上的第二光阻层，以使预设位置之外的金属化层向外暴露”包括如下步骤：

透过光罩对第二光阻层进行曝光，其中，预设位置之外的区域被光罩上不透光区域所覆盖；

采用显影液进行显影，使预设位置之外的未经曝光的光刻胶即被显影液去除。