[发明专利]一种晶圆再布线双重验证结构、制造方法及验证方法

权利要求书

1.一种晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，包括：

裸芯片，具有基板、设置在所述基板上的若干焊盘和钝化层，钝化层上设置有若干与焊盘相对设置并向外暴露相应所述焊盘的钝化层开口；

若干再布线模块，设置在所述钝化层之上并与相应的焊盘连接；相邻两再布线模块之间形成间隙部；

介电模块，设置在所述再布线模块之上，所述介电模块上形成有朝所述间隙部方向倾斜的倾斜面；

电镀层，设置在所述介电模块的倾斜面上；电镀层在熔融后，沿所述倾斜面向所述间隙部流动，并最终冷却凝固在间隙部内以形成连接相邻两再布线模块的导通层。

2.根据权利要求1所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块设置在所述再布线模块上表面上靠近所述间隙部的一侧，且所述倾斜面的一端延伸至所述间隙部。

3.根据权利要求2所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块上的倾斜面与水平面之间的夹角不小于45°。

4.根据权利要求1所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块为设置在再布线模块之上的光敏聚合物有机材料，所述光敏聚合物有机材料包括聚苯并恶唑、或聚酰亚胺、或聚苯环丁烯。

5.根据权利要求4所述的晶圆再布线双重验证结构，其特征在于，所述介电模块由光敏聚合物有机材料经加温固化收缩而成。

6.一种如权利要求1至5任一项所述的晶圆再布线双重验证结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一裸芯片；

对所述裸芯片进行再布线后在所述裸芯片之上形成若干再布线模块，其中每一再布线模块均与相应的焊盘连接，且相邻两再布线模块之间形成间隙部；

在所述再布线模块和所述间隙部之上覆盖介电层，并去除预设位置之外的部分介电层；将预设位置剩余的介电层形成位于所述再布线模块之上的介电模块；

在介电模块上形成朝间隙部倾斜的倾斜面；

在倾斜面上形成电镀层。

7.根据权利要求6所述的晶圆再布线双重验证结构的制造方法，其特征在于，“在倾斜面上形成电镀层”具体包括如下步骤：

在介电模块的上表面、部分再布线模块的上表面及间隙部的上表面覆盖上金属化层；

在上金属化层之上覆盖上光阻层；

去除部分上光阻层以形成上窗格，其中部分倾斜面自所述上窗格向外暴露；

在所述上窗格内形成电镀层；

去除剩余上光阻层及电镀层覆盖范围之外的上金属化层。

8.根据权利要求6所述的晶圆再布线双重验证结构的制造方法，其特征在于，“对所述裸芯片进行再布线后在所述裸芯片之上形成若干再布线模块”包括如下步骤：

在所述裸芯片之上形成下金属化层，并在下金属化层之上形成下光阻层；

去除部分下光阻层以形成若干下窗格，其中每一下窗格内均有相应的焊盘自该下窗格向外暴露；

在所述下窗格内电镀金属层以形成再布线模块；

去除剩余下光阻层及再布线模块覆盖区域之外的下金属化层。

9.根据权利要求6所述的晶圆再布线双重验证结构的制造方法，其特征在于，“在所述再布线模块和所述间隙部之上覆盖介电层，并去除预设位置之外的部分介电层；将预设位置剩余的介电层形成位于所述再布线模块之上的介电模块”包括如下步骤：

通过涂布方式在所述再布线模块和所述间隙部之上形成介电层；

通过曝光显影的方式去除预设位置之外的介电层；

通过高温固化的方式使预设位置的介电层固化收缩以形成介电模块，所述倾斜面在固化收缩过程中生成。

10.一种如权利要求1-5任一项所述的晶圆再布线双重验证结构的验证方法，其特征在于，包括如下步骤：

对每一再布线模块进行单独的功能验证；

将电镀层熔融，熔融后的电镀层沿着倾斜面流入间隙部，使相邻两再布线模块连接以形成新线路结构；

对连接成一体的再布线模块上的新线路结构进行功能验证。