[发明专利]一种用于降低铁基纳米晶合金介电常数的热处理方法在审
| 申请号： | 202110381944.8 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113201631A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王邦汉;韩满贵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C21D1/26 | 分类号： | C21D1/26;C21D1/74;C21D9/52;C21D11/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 降低 纳米 合金 介电常数 热处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于降低铁基纳米晶合金介电常数的热处理方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1、对铁基非晶合金薄带进行清洗并烘干；
步骤2、在保护气氛下对步骤1处理过的铁基非晶合金薄带进行退火处理，退火处理过程为：对铁基非晶合金薄带进行加热，加热过程中将升温速率控制在10℃/s～40℃/s之间，使其快速升温至650℃-800℃范围内；然后保持温度为650℃-800℃，保温时间为10s-10min；最后将温度降温至室温，降温过程中将降温速率控制在10℃/s～30℃/s之间，得到具有双相结构的铁基纳米晶合金薄带。
2.根据权利要求1所述的一种用于降低铁基纳米晶合金介电常数的热处理方法，其特征在于：所述步骤2中，加热时采用升温速率为25℃/s；降温时采用的降温速率为10℃/s。
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